[发明专利]发光基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种发光基板，其特征在于，包括：

驱动背板；

第一像素界定层，设置在所述驱动背板上，所述第一像素界定层具有多个开口区域；以及

发光器件，设置在所述开口区域，所述发光器件包括：第一电极、发光功能层以及设置在所述第一电极与所述发光功能层之间的半导体膜层；

其中，所述第一电极至少覆盖所述开口区域的底面和侧壁，所述半导体膜层的材料具有导体化状态和非导体化状态，所述半导体膜层包括处于所述非导体化状态的第一功能单元，所述第一功能单元覆盖所述开口区域侧壁处设置的第一电极。

2.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述半导体膜层还包括处于所述导体化状态的第二功能单元，所述第二功能单元覆盖所述开口区域底面设置的第一电极。

3.根据权利要求2所述的发光基板，其特征在于，所述半导体膜层为石墨烯薄膜，所述第一功能单元为处于本征态的石墨烯薄膜，所述第二功能单元为经过非导体化处理的石墨烯薄膜。

4.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述半导体膜层的厚度为10～2000埃。

5.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，所述第一电极从所述开口区域延伸到所述第一像素界定层的顶部，所述第一功能单元还覆盖目标拐角处设置的第一电极，所述目标拐角包括所述开口区域侧壁与所述第一像素界定层顶部之间的拐角。

6.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，还包括：第二像素界定层；

所述第二像素界定层层叠设置在所述第一像素界定层的顶部，且位于相邻所述发光器件的第一电极的间隔区域。

7.根据权利要求6所述的发光基板，其特征在于，所述发光功能层包括：空穴注入层和空穴传输层；

沿垂直于所述驱动背板的方向上，所述第二像素界定层的厚度至少大于所述第一电极、所述半导体膜层、所述空穴注入层以及所述空穴传输层的厚度之和，以阻断相邻发光器件的所述空穴注入层和所述空穴传输层。

8.根据权利要求7所述的发光基板，其特征在于，所述发光功能层还包括：发光层以及第二电极；

沿垂直于所述驱动背板的方向上，所述第二像素界定层的厚度大于所述第一电极、所述半导体膜层以及所述发光功能层的厚度之和，以阻断相邻发光器件的发光功能层。

9.根据权利要求6所述的发光基板，其特征在于，所述第二像素界定层的材料为无机绝缘材料。

10.一种发光基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在驱动背板上形成第一像素界定层，所述第一像素界定层具有多个开口区域；

在所述第一像素界定层的开口区域形成第一电极，所述第一电极至少覆盖所述开口区域的底面和侧壁；

在所述第一电极上形成半导体膜层，所述半导体膜层的材料具有导体化状态和非导体化状态，所述半导体膜层包括处于所述非导体化状态的第一功能单元，所述第一功能单元覆盖所述开口区域侧壁处设置的第一电极；

形成发光功能层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述第一电极上形成半导体膜层，包括：

在形成有所述第一电极的驱动背板表面形成石墨烯薄膜；

对目标区域的所述石墨烯薄膜进行非导体化处理，形成所述第一功能单元。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，对目标区域的所述石墨烯薄膜进行非导体化处理，包括：

利用氩气和/或氢气对目标区域的所述石墨烯薄膜进行表面处理，以在所述目标区域产生氢化石墨烯。