[发明专利]发光单元组件及其制作方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 202211671438.3 申请日: 2022-12-22
公开(公告)号: CN116111013A 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 李泽尧;康报虹 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司
主分类号: H01L33/02 分类号: H01L33/02;H01L33/00;H01L33/38;H01L27/15
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 强珍妮
地址: 518101 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光 单元 组件 及其 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种发光单元组件,包括多个发光单元,每个所述发光单元包括依次层叠设置的缓冲层、第一半导体层、发光层以及第二半导体层,其特征在于,多个所述发光单元的第一半导体层相连接,所述发光单元组件还包括第一电极层,所述第一电极层铺设于所述第一半导体层远离所述缓冲层的表面,且与所述发光层以及所述第二半导体层间隔设置,所述第一电极层在预设位置形成有向远离所述缓冲层方向延伸的第一电极,所述第一电极的数量少于所述发光单元的数量。

2.根据权利要求1所述的发光单元组件,其特征在于,多个所述发光单元的缓冲层以及所述第一半导体层均为一体结构。

3.根据权利要求2所述的发光单元组件,其特征在于,所述第一半导体层在远离所述缓冲层的一侧形成多个凸起部,每个凸起部连接一个所述发光层。

4.根据权利要求3所述的发光单元组件,其特征在于,所述发光单元组件还包括绝缘保护层、扩散层以及第二电极,所述绝缘保护层围绕所述第一半导体层的所述凸起部、所述发光层以及所述第二半导体层的侧面设置,在至少部分所述第二半导体层远离所述发光层的表面处形成有开口,所述扩散层设置于所述第二半导体层远离所述发光层的一侧,并设置于所述开口中,所述第二电极设置于所述扩散层远离所述第二半导体层的一侧,并且所述第二电极的至少部分凸出于所述开口,所述第一电极远离所述缓冲层的表面到所述缓冲层的距离不小于所述第二电极远离所述缓冲层的表面到所述缓冲层的距离。

5.根据权利要求4所述的发光单元组件,其特征在于,单个的所述第一电极远离所述缓冲层的表面的表面积大于单个的所述第二电极远离所述缓冲层的表面的表面积。

6.根据权利要求5所述的发光单元组件,其特征在于,所述第一电极为一个,被配置为围绕多个所述发光单元设置,或被配置为由多个所述发光单元环绕设置,或被配置为直线或交叉线形,将所个所述发光单元分隔为多个区域,或设置于多个所述发光单元的一侧;

或者,所述第一电极为多个,设置于多个所述发光单元所在区域的外围,或被多个所述发光单元围绕。

7.一种发光单元组件的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:

提供依次层叠形成有缓冲层、第一半导体层、发光层以及第二半导体层的片材;

将所述片材进行蚀刻,去除部分所述第二半导体层、所述发光层以及所述第一半导体层,形成多个相互间隔的基础发光单元;其中,所述第一半导体层被蚀刻的深度小于所述第一半导体层的厚度;

在所述第二半导体层远离所述发光层的一侧制作扩散层,在所述第二半导体层、所述发光层以及部分所述第一半导体层的侧面制作绝缘保护层,所述绝缘保护层在所述扩散层远离所述第二半导体层的表面处形成有开口;

在所述第一半导体层被蚀刻的部分铺设第一电极层,并在预设位置形成有向远离所述缓冲层方向延伸的第一电极,所述第一电极的数量少于所述发光单元的数量;在所述开口处形成第二电极,形成多个相互间隔的发光单元。

8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,在形成所述第一电极时,每一所述发光单元组件中形成一个所述第一电极,所述第一电极将多个所述发光单元围在中间位置。

9.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,在形成所述第一电极时,每一所述发光单元组件中形成多个所述第一电极,所述第一电极由多个所述发光单元环绕设置,或被配置为直线或交叉线形,将多个所述发光单元分隔为多个区域,或设置于多个所述发光单元的一侧。

10.一种显示装置,所述显示装置包括发光单元组件以及与所述发光单元组件相对设置的显示面板,其特征在于,所述发光单元组件为权利要求1-6中任意一项所述的发光单元组件。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠科股份有限公司,未经惠科股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211671438.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top