[发明专利]一种图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中设置有浅槽隔离结构，且所述衬底被所述浅槽隔离结构分隔出多个有源区；

栅极结构，设置在所述衬底上；

多个金属层，堆叠在所述栅极结构上；

像素阵列结构，设置在所述衬底上；

多个导电栓塞，一端连接于所述栅极结构或所述浅槽隔离结构或所述有源区，另一端连接于所述金属层；以及

多个导热栓塞，连接于所述金属层，所述导热栓塞朝靠近所述衬底的方向延伸，且所述导热栓塞在所述衬底上的正投影位于所述有源区内。

2.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，所述浅槽隔离结构包括导热部，所述导热部设置在所述衬底中，且所述导热部连接于部分所述导电栓塞。

3.根据权利要求2所述的一种图像传感器，其特征在于，所述浅槽隔离结构包括隔离层，所述隔离层设置于所述衬底中，且所述隔离层包覆所述导热部。

4.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，所述金属层和所述栅极结构之间设置有多个介质层，且相邻的所述介质层之间设置有散热层。

5.根据权利要求4所述的一种图像传感器，其特征在于，所述导热栓塞设置在靠近所述栅极结构的所述金属层上。

6.根据权利要求5所述的一种图像传感器，其特征在于，所述导热栓塞的一端穿过所述介质层和所述散热层连接。

7.根据权利要求4所述的一种图像传感器，其特征在于，所述散热层为金刚石、碳化硅、石墨烯或金属材料中的至少一种。

8.根据权利要求4所述的一种图像传感器，其特征在于，所述导热栓塞连接于所述散热层。

9.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，与所述栅极结构相邻的所述金属层连接于所述像素阵列结构的多个像素单元。

10.一种图像传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一像素阵列结构和衬底，并在所述衬底中形成浅槽隔离结构，其中所述衬底被所述浅槽隔离结构分隔出多个有源区；

在所述衬底上形成栅极结构；

在所述栅极结构上堆叠形成多个金属层，且部分所述金属层连接于所述像素阵列结构；

在所述金属层和所述栅极结构之间，或所述金属层和所述浅槽隔离结构之间，或所述金属层和有源区之间形成导电栓塞；

在形成所述金属层的同时，形成导热栓塞，所述导热栓塞连接于所述金属层，且所述导热栓塞朝靠近所述衬底的方向延伸，其中所述导热栓塞在所述衬底上的正投影位于所述有源区内。