[发明专利]一种自适应耗尽空穴路径的新型IGBT结构在审
| 申请号： | 202211672606.0 | 申请日： | 2022-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN115763535A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 伍伟;喻明康;高崇兵 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 自适应 耗尽 空穴 路径 新型 igbt 结构 | ||
1.一种自适应耗尽空穴路径的新型IGBT结构，其元胞结构从下往上依次为：P+集电区(1)、N型缓冲层(2)和N型缓冲层(2)上方的N型漂移区(3)，正面结构包含由P型基区(4)、P+型发射区(5)和N+型发射区(6)所组成的主流区，以及由P型浮空区(7)、P-掺杂区(8)所构成的自适应耗尽空穴路径区；发射区间有SiO2氧化层(9)和多晶硅(10)构成的栅极。
2.根据权利要求1所述的自适应耗尽空穴路径的新型IGBT结构，其特征在于，相比常规IGBT器件，在P型浮空区(7)上方引入P-掺杂区(8)，并使P-掺杂区(8)与发射极相连；P-掺杂区(8)深度不宜太浅，以确保空穴不会穿过完全耗尽的P-掺杂区(8)。
3.根据权利要求1所述的自适应耗尽空穴路径的新型IGBT结构，其特征在于，P型基区(4)和P型浮空区(7)与N型漂移区(3)邻接，且所述P型浮空区(8)与P型基区(5)深度相同。
4.根据权利要求1所述的自适应耗尽空穴路径的新型IGBT结构，其特征在于，P型基区(4)和P型浮空区(7)与N型漂移区(3)邻接，且所述P型浮空区(7)的深度需比沟槽栅深度稍大。
5.根据权利要求1所述的自适应耗尽空穴路径的新型IGBT结构，其特征在于，P型基区(4)和P型浮空区(7)下方添加载流子存储层(11)，载流子存储层(11)深度不超过沟槽栅深度，且所述P型浮空区(7)与P型基区(4)深度相同。
6.根据权利要求1～5所述的自适应耗尽空穴路径的新型IGBT结构，其特征在于，增大P-掺杂区(8)的掺杂浓度，增加开启阶段P-掺杂区(8)完全耗尽的时间，从而获得更好的EMI特性。
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