[发明专利]金刚石多晶体以及金刚石多晶体的制造方法在审
| 申请号： | 202211674054.7 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN116411346A | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 角谷均;石田雄;滨木健成;山本佳津子 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B28/02;B01J3/06;C01B32/25 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 常海涛;金小芳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金刚石 多晶体 以及 制造 方法 | ||
1.一种基本上由金刚石单相组成的金刚石多晶体，其中
“基本上由金刚石单相组成”是指所述金刚石多晶体中的金刚石成分为99体积％以上，
所述金刚石多晶体由多个平均粒径为30nm以下的金刚石颗粒组成，并且
所述金刚石多晶体的碳悬空键密度为10ppm以上，
所述金刚石多晶体的努普硬度为120GPa以上，
所述金刚石颗粒的平均粒径通过采用扫描电子显微镜的截距法来确定，
所述碳悬空键密度通过使用电子自旋共振装置(ESR)来测定，具体而言，测定对应于碳悬空键的不成对自旋的ESR光谱的微分曲线，然后对微分曲线进行两次积分以获得信号强度，并且由该信号强度计算所述碳悬空键密度。
2.根据权利要求1所述的金刚石多晶体，其中
所述金刚石颗粒的平均粒径为1nm以上30nm以下。
3.根据权利要求1所述的金刚石多晶体，其中
所述金刚石颗粒的平均粒径为1nm以上20nm以下。
4.根据权利要求1所述的金刚石多晶体，其中
所述金刚石颗粒的平均粒径为1nm以上10nm以下。
5.根据权利要求1所述的金刚石多晶体，其中
所述金刚石多晶体的碳悬空键密度为10ppm以上1000ppm以下。
6.根据权利要求1所述的金刚石多晶体，其中
所述金刚石多晶体的碳悬空键密度为30ppm以上1000ppm以下。
7.根据权利要求1所述的金刚石多晶体，其中
所述金刚石多晶体的碳悬空键密度为40ppm以上1000ppm以下。
8.根据权利要求1所述的金刚石多晶体，其中
所述金刚石多晶体包含选自由氢、氧和氮组成的组中的至少一种元素作为杂质，并且
所述金刚石多晶体中的所述氢、所述氧和所述氮各自的浓度为1ppm以下。
9.根据权利要求8所述的金刚石多晶体，其中
所述金刚石多晶体中的所述氢、所述氧和所述氮各自的浓度为0.001ppm以上1ppm以下。
10.根据权利要求8所述的金刚石多晶体，其中
所述金刚石多晶体中的所述氢、所述氧和所述氮各自的浓度为0.001ppm以上0.1ppm以下。
11.根据权利要求8所述的金刚石多晶体，其中
所述金刚石多晶体中的所述氮的浓度小于0.1ppm。
12.根据权利要求11所述的金刚石多晶体，其中
所述金刚石多晶体中的所述氮的浓度为0.001ppm以上0.1ppm以下。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的金刚石多晶体，其中
在以1N/秒的负荷速度将尖端半径为50μm的球形金刚石压头压在所述金刚石多晶体的表面的断裂强度试验中，裂纹产生负荷为10N以上。
14.根据权利要求13所述的金刚石多晶体，其中
所述裂纹产生负荷为10N以上50N以下。
15.根据权利要求13所述的金刚石多晶体，其中
所述裂纹产生负荷为15N以上50N以下。
16.根据权利要求13所述的金刚石多晶体，其中
所述裂纹产生负荷为18N以上50N以下。
17.根据权利要求1至12和14至16中任一项所述的金刚石多晶体，其中
所述金刚石多晶体的努普硬度为120GPa以上300GPa以下。
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