[发明专利]显示基板和显示装置在审
申请号: | 202211675576.9 | 申请日: | 2022-12-26 |
公开(公告)号: | CN116110909A | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 何帆;王琦伟;颜俊;仝可蒙;蔡文哲;董向丹 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G09F9/33;G09G3/3225;H10K59/12;H01L27/02 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 崔姬玉 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
本发明提供一种显示基板和显示装置,涉及显示技术领域,为解决显示产品中由于凹槽区像素的缺失,导致位于凹槽区左、右两侧的显示区内的信号线,与其他显示区的信号线之间存在负载差异,从而造成显示产品出现显示质量问题。所述显示基板中显示区域包括相对设置的第一显示区和第二显示区;周边区域包括凹槽区,凹槽区位于第一显示区和第二显示区之间;显示基板中扫描线包括第一扫描部分,第二扫描部分和补偿扫描部分,第一扫描部分位于第一显示区,第二扫描部分位于第二显示区,补偿扫描部分的至少部分位于凹槽区,补偿扫描部分分别与第一扫描部分和第二扫描部分耦接;补偿扫描部分在衬底基板上的正投影,与周边电源线在衬底基板上的正投影交叠。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板和显示装置。
背景技术
随着有机发光二极管(英文:Active-matrix organic light-emitting diode,简称:AMOLED)显示技术的迅速发展,不仅是可移动产品从刚性转变为柔性,大尺寸的笔记本和车载等显示产品也逐渐从刚性转化到柔性。大尺寸显示产品的形态多种多样,常见的形态包括在显示屏上方设置凹槽区(Notch),凹槽区主要用于摄像头等元器件的放置。但是这种包括Notch的显示产品会存在一个问题:由于凹槽区像素的缺失,导致位于凹槽区左、右两侧的显示区内的信号线,与其他显示区的信号线之间存在负载(Loading)差异,从而造成显示产品出现显示质量问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示基板和显示装置,用于解决显示产品中由于凹槽区像素的缺失,导致位于凹槽区左、右两侧的显示区内的信号线,与其他显示区的信号线之间存在负载(Loading)差异,从而造成显示产品出现显示质量问题。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
本发明的第一方面提供一种显示基板,包括:衬底基板,以及设置于所述衬底基板上的显示区域和周边区域;所述显示区域包括相对设置的第一显示区和第二显示区;所述周边区域包括凹槽区,所述凹槽区的至少部分位于所述第一显示区和所述第二显示区之间;所述显示基板还包括:
扫描线,所述扫描线包括第一扫描部分,第二扫描部分和补偿扫描部分,所述第一扫描部分位于所述第一显示区,所述第二扫描部分位于所述第二显示区,所述补偿扫描部分的至少部分位于所述凹槽区,所述补偿扫描部分分别与所述第一扫描部分和所述第二扫描部分耦接;
周边电源线,所述周边电源线位于所述周边区域;
所述补偿扫描部分在所述衬底基板上的正投影,与所述周边电源线在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
可选的,所述显示区域包括多个子像素,所述子像素包括相耦接的子像素驱动电路和发光元件,所述子像素驱动电路包括驱动晶体管和补偿晶体管,所述补偿晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接,所述补偿晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接;
所述扫描线包括栅线,所述栅线与对应的子像素驱动电路中的所述补偿晶体管的栅极耦接。
可选的,所述子像素驱动电路包括复位晶体管,所述复位晶体管的第一极与初始化信号输入端耦接,所述复位晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接;
所述扫描线还包括复位信号线,所述复位信号线与对应的子像素驱动电路中的所述复位晶体管的栅极耦接。
可选的,所述子像素驱动电路还包括发光控制晶体管,所述发光控制晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接,所述发光控制晶体管的第二极与对应的发光元件耦接;
所述扫描线还包括发光控制信号线,所述发光控制信号线与对应的子像素驱动电路中的发光控制晶体管的栅极耦接。
可选的,所述显示基板还包括阴极层,所述阴极层与所述周边电源线耦接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211675576.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的