[发明专利]放大器的线性度的提高方法在审
申请号: | 202211676041.3 | 申请日: | 2022-12-26 |
公开(公告)号: | CN116488591A | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 侯富诚 | 申请(专利权)人: | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/32 | 分类号: | H03F1/32 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 王晓玲 |
地址: | 215125 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 放大器 线性 提高 方法 | ||
1.一种放大器的线性度的提高方法,其特征在于,所述方法包括:
获取预定关系以及目标改善值,所述预定关系为预定电阻值以及预定改善值的对应关系,所述预定电阻值为提高所述放大器的线性度所需要的电阻值,所述预定改善值为所述放大器的振幅失真的改善值,所述目标改善值为所述放大器的所述振幅失真的期望的改善值;
根据所述预定关系以及目标改善值,确定所述目标改善值对应的所述预定电阻值为目标电阻值;
在所述放大器对应的芯片上连接预定模块,且所述预定模块的电阻值等于所述目标电阻值。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,获取预定关系,包括:
确定第一阻抗以及第二阻抗,所述第一阻抗用于表征所述放大器处于线性区域对应的输入阻抗,所述第二阻抗用于表征所述放大器处于饱和区域对应的所述输入阻抗;
获取第一关系式,所述第一关系式为其中,R1为所述第一阻抗的实部,R′1为所述第二阻抗的实部,R2为所述预定电阻值,Gain+为所述预定改善值;
根据所述第一阻抗、所述第二阻抗以及所述第一关系式,确定所述预定关系。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,确定第一阻抗以及第二阻抗,包括:
使用ADS仿真以及预定系统测试中之一确定所述第一阻抗以及所述第二阻抗。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,获取第一关系式,包括:
获取第二关系式以及第三关系式,所述第二关系式为所述第三关系式为其中,AttenR2(R1)用于表征当所述放大器的所述输入阻抗的实部为R1时所述预定电阻值对所述放大器功率的衰减值,AttenR2(R′1)用于表征当所述放大器的所述输入阻抗的实部为R′1时所述预定电阻值对所述放大器功率的衰减值;
计算所述第二关系式与所述第三关系式的差值,得到所述第一关系式。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,获取第二关系式以及第三关系式,包括:
获取第四关系式以及第五关系式,所述第四关系式为所述第五关系式为其中,PIN用于表征所述放大器的输入端消耗的总功率,P1用于表征所述放大器的所述输入阻抗的实部为R1消耗的功率,IIN为所述放大器的输入端的电流;
对所述第四关系式以及所述第五关系式进行转化操作,得到对应的第六关系式以及第七关系式,所述第六关系式为所述第七关系式为所述转化操作使得所述第六关系式与所述第七关系式的单位为DB;
计算所述第六关系式与所述第七关系式的差值,得到所述第二关系式
在所述放大器的所述输入阻抗的实部为R′1的情况下,根据所述第二关系式得到所述第三关系式为
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,AttenR2(R1)大于AttenR2(R′1)。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述放大器对应的芯片上连接预定模块,且所述预定模块的电阻值等于所述目标电阻值,包括:
控制所述放大器的栅极连接所述预定模块,所述预定模块的电阻值等于所述目标电阻值。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述预定模块的材料包括多晶硅。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述预定模块的尺寸与所述预定模块的电阻值成正比。
10.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第二阻抗大于所述第一阻抗。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州华太电子技术股份有限公司,未经苏州华太电子技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211676041.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。