[发明专利]一种基板及其制作方法、显示面板在审
申请号: | 202211679261.1 | 申请日: | 2022-12-26 |
公开(公告)号: | CN116130415A | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 请求不公布姓名 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H10K59/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 孟霞 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 及其 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种基板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供衬底基板;所述衬底基板包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第一表面具有至少一个第一凸起结构;
在所述衬底基板的第一表面上整面涂布可流平膜层;
对所述可流平膜层图案化处理,形成贯穿所述可流平膜层且对应每个所述第一凸起结构设置的多个第一通孔;以及
对所述可流平膜层进行流平处理,形成平坦化的平坦层。
2.根据权利要求1所述的基板的制作方法,其特征在于,所述多个第一通孔沿所述第一凸起结构的延伸方向呈至少一列设置。
3.根据权利要求1所述的基板的制作方法,其特征在于,所述多个第一通孔在垂直于所述衬底基板方向上的投影被对应的所述第一凸起结构在垂直于所述衬底基板方向上的投影完全覆盖。
4.根据权利要求1所述的基板的制作方法,其特征在于,所述第一表面还具有至少一个第二凸起结构,且所述第二凸起结构的高度小于所述第一凸起结构的高度;对所述可流平膜层图案化处理之后,所述可流平膜层完全覆盖所述第二凸起结构。
5.根据权利要求1所述的基板的制作方法,其特征在于,所述第一表面还具有至少一个第二凸起结构,且所述第二凸起结构的高度小于所述第一凸起结构的高度;所述制作方法还包括以下步骤:
形成贯穿所述可流平膜层且对应每个所述第二凸起结构设置的多个第二通孔。
6.根据权利要求5所述的基板的制作方法,其特征在于,所述第二通孔的孔径小于所述第一通孔的孔径;
所述多个第二通孔在垂直于所述衬底基板方向上的投影被对应的所述第二凸起结构在垂直于所述衬底基板方向上的投影完全覆盖。
7.根据权利要求5所述的基板的制作方法,其特征在于,所述第一表面还具有至少一个第三凸起结构,且所述第三凸起结构的高度小于所述第二凸起结构的高度;对所述可流平膜层图案化处理之后,所述可流平膜层完全覆盖所述第三凸起结构。
8.一种基板,其特征在于,采用如权利要求1至7任意一项所述的制作方法制作而成,所述基板包括所述衬底基板和位于所述衬底基板的所述第一表面上的所述平坦层。
9.根据权利要求8所述的基板,其特征在于,所述衬底基板包括衬底层和位于所述衬底层上的薄膜晶体管阵列层;所述第一表面位于所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底层的一侧,所述第二表面位于所述衬底层远离所述薄膜晶体管阵列层的一侧。
10.一种显示面板,其特征在于,包括发光功能层和如权利要求8所述的基板;所述发光功能层位于所述平坦层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造