[发明专利]具有温度传感器的芯片封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种具有温度传感器的芯片封装结构，其特征在于，包括：芯片本体和温度传感器；

所述芯片本体的中部设置有源区，所述有源区的外侧设置终端区，所述终端区围绕所述有源区设置；

所述芯片本体包括晶体管和设置于所述晶体管上的钝化层，所述温度传感器包括传感器本体以及与所述传感器本体连接的传感器电极，所述传感器电极连接于所述钝化层上，所述传感器本体设置于所述终端区，且设置于所述钝化层上。

2.根据权利要求1所述的具有温度传感器的芯片封装结构，其特征在于，所述传感器本体围绕所述有源区设置。

3.根据权利要求1所述的具有温度传感器的芯片封装结构，其特征在于，所述传感器本体包括多晶硅层，所述传感器电极与所述多晶硅层连接。

4.根据权利要求3所述的具有温度传感器的芯片封装结构，其特征在于，所述多晶硅层包括N型多晶硅层和P型多晶硅层，所述N型多晶硅层和所述P型多晶硅层分别设置于所述钝化层上，所述传感器电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极连接于所述N型多晶硅层，所述第二电极连接于所述P型多晶硅层。

5.根据权利要求1所述的具有温度传感器的芯片封装结构，其特征在于，所述传感器电极的材质为金属铝或金属钛。

6.一种具有温度传感器的芯片封装结构的制造方法，所述芯片设置有源区和围绕所述有源区设置的终端区，其特征在于，包括：

制作芯片本体；

在所述芯片本体上制作钝化层；

将所述传感器本体制作在所述终端区的所述钝化层上，且使得所述传感器本体与所述传感器电极连接；

在所述终端区的所述钝化层上制作传感器电极。

7.根据权利要求6所述的具有温度传感器的芯片封装结构的制造方法，其特征在于，所述传感器本体包括多晶硅层，所述在所述钝化层上制作传感器电极的步骤包括：

在所述钝化层上制作所述多晶硅层；

在所述多晶硅层上制作所述传感器电极。

8.根据权利要求7所述的具有温度传感器的芯片封装结构的制造方法，其特征在于，所述在所述多晶硅层上制作所述传感器电极的步骤包括：

在所述多晶硅层上溅射金属铝，形成所述传感器电极。

9.根据权利要求8所述的具有温度传感器的芯片封装结构的制造方法，其特征在于，所述在所述多晶硅层上溅射金属铝的步骤中，溅射0.5μm至4μm的金属铝，形成所述传感器电极。

10.根据权利要求7所述的具有温度传感器的芯片封装结构的制造方法，其特征在于，所述在所述多晶硅层上制作所述传感器电极的步骤包括：

在所述钝化层上以及所述多晶硅层上溅射金属钛，通过退火形成肖特接触，利用肖特基势垒上压降与温度的线性关系进行芯片测温，在所述金属钛和所述多晶硅层上溅射形成所述传感器电极。