[发明专利]易失存储器类器件抗单粒子效应能力在轨试验方法和系统

权利要求书

1.一种易失存储器类器件抗单粒子效应能力在轨试验方法，其特征在于，包括：

对被测试的存储器进行上电初始化；

使用控制器依次读出全部地址数据，并与写入数据进行比对，若不一致，记录错误地址和错误数据；发生错误后三个周期回写正确数据，其他时间不回写数据；

控制器将此回合数据通过CAN通讯返回主控单元，主控单元将数据发送至飞行器数传单元，数传单元将数据发送至地面设备；

试验数据累积m天以上后，对试验数据进行数据分析，数据值按事件发生时间、翻转次数、单粒子瞬态次数、翻转地址、翻转前数据、翻转后数据排列，m为设定值；

绘制单粒子翻转/单粒子瞬态次数随时间曲线，删除不单调数据点；

进行数据结果判断和单粒子效应判断，并计算得出器件在轨单粒子翻转率。

2.根据权利要求1所述的一种易失存储器类器件抗单粒子效应能力在轨试验方法，其特征在于，所述对被测试的存储器进行上电初始化，包括：前1/4地址段写入0XFF，第二个1/4地址段写入0X00，后1/2地址段写入0X5A。

3.根据权利要求1所述的一种易失存储器类器件抗单粒子效应能力在轨试验方法，其特征在于，所述数据结果判断，包括：

查看试验数据，若首次写入后，第一次读出发现数据错误，后续每次读出发现同一地址同一位数据持续错误，则判断为一次写入翻转；

若发现第N次读出数据发生数据错误，N≥2，第N+1次读出数据同一地址同一位数据仍发生错误，则判断为一次单粒子翻转效应；

查看试验数据，发现第N次读出数据发生数据错误，N≥2，第N+1次读出数据同一地址同一位数据未发生错误，则判断为一次单粒子瞬态效应；

若发现第N次读出数据发生数据错误，N≥1，第N+1次读出数据同一地址同一位数据仍发生错误，后续每次读出该地址仍发生错误，对测试板进行重新启动后，该位置读出仍存在错误，则判断为一次存储单元损毁。

4.根据权利要求1所述的一种易失存储器类器件抗单粒子效应能力在轨试验方法，其特征在于，所述单粒子效应判断，包括：

查看试验数据，同一时刻若只有一个地址，且地址内只有一个bit发生单粒子翻转，则判断为一次单bit单粒子翻转；

同一时刻若只有一个地址，且地址内有n个bit发生单粒子翻转，则判断为一次多bit单粒子翻转，n≥2；

同一时刻若有n个物理相邻地址内发生单粒子翻转，则判断为一次多单元bit单粒子翻转，n≥2；

器件出现持续读出错误，且器件工作电流增大，无法自行恢复，则判断为一次单粒子锁定。

5.根据权利要求1所述的一种易失存储器类器件抗单粒子效应能力在轨试验方法，其特征在于，器件在轨单粒子翻转率指单粒子翻转的错误位总数除以时间再除以器件总位数。

6.一种易失存储器类器件抗单粒子效应能力在轨试验系统，其特征在于，包括：存储器在轨单粒子检测单元用于获取器件在轨数据；地面数据处理系统用于进行数据结果判断和单粒子效应判断，并计算得出器件在轨单粒子翻转率。

7.根据权利要求6所述的一种易失存储器类器件抗单粒子效应能力在轨试验系统，其特征在于，所述存储器在轨单粒子检测单元用于获取器件在轨数据，包括：

对被测试的存储器进行上电初始化，前1/4地址段写入0XFF，第二个1/4地址段写入0X00，后1/2地址段写入0X5A；

使用控制器依次读出全部地址数据，并与写入数据进行比对，若不一致，记录错误地址和错误数据；发生错误后三个周期回写正确数据，其他时间不回写数据；

控制器将此回合数据通过CAN通讯返回主控单元，主控单元将数据发送至飞行器数传单元，数传单元将数据发送至地面设备；

试验数据累积m天以上后，对试验数据进行数据分析，数据值按事件发生时间、翻转次数、单粒子瞬态次数、翻转地址、翻转前数据、翻转后数据排列，m为设定值；

绘制单粒子翻转/单粒子瞬态次数随时间曲线，删除不单调数据点。