[发明专利]用于先进的集成电路结构制造的栅极线插塞结构在审

申请号：	202211681709.3	申请日：	2018-11-05
公开（公告）号：	CN115732568A	公开（公告）日：	2023-03-03
发明（设计）人：	B.何;M.L.哈滕多夫;C.P.奥思	申请（专利权）人：	英特尔公司
主分类号：	H01L29/78	分类号：	H01L29/78;H01L23/48;H01L21/336
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司 72001	代理人：	申屠伟进;吕传奇
地址：	美国加利***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	用于先进集成电路结构制造栅极线插塞
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【权利要求书】：

1.一种集成电路结构，包括：

第一鳍片，具有沿着第一方向的最长尺寸；

第二鳍片，具有沿着第一方向的最长尺寸；

栅极线，具有沿着第二方向的最长尺寸，第二尺寸与第一方向正交，栅极线在第一鳍片之上并且在第二鳍片之上，并且栅极线具有第一侧和第二侧，其中栅极线在第一鳍片和第二鳍片之间具有中断；

在栅极线的所述中断中的电介质插塞；

第一沟槽接触部，具有沿着第二方向的最长尺寸，第一沟槽接触部在第一鳍片之上并且在第二鳍片之上，并且第一沟槽接触部与栅极线的第一侧侧向间隔开；

第一电介质间隔部，具有沿着第二方向的最长尺寸，第一电介质间隔部在第一鳍片之上并且在第二鳍片之上，第一电介质间隔部在第一沟槽接触部和栅极线的第一侧之间，第一电介质间隔部沿着栅极线的第一侧和电介质插塞连续，第一电介质间隔部具有与电介质插塞侧向相邻的第一宽度，并且第一电介质间隔部具有与栅极线的第一侧侧向相邻的第二宽度，第一宽度比第二宽度更薄；

第二沟槽接触部，具有沿着第二方向的最长尺寸，第二沟槽接触部在第一鳍片之上并且在第二鳍片之上，并且第二沟槽接触部与栅极线的第二侧侧向间隔开；和

第二电介质间隔部，具有沿着第二方向的最长尺寸，第二电介质间隔部在第一鳍片之上并且在第二鳍片之上，并且第二电介质间隔部在第二沟槽接触部和栅极线的第二侧之间。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述电介质插塞完全填充与所述中断相邻的栅极线端之间的距离。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述第二电介质间隔部沿着所述栅极线的第二侧和所述电介质插塞是连续的。

4.根据权利要求3所述的集成电路结构，其中所述第二电介质间隔部具有与电介质插塞侧向相邻的第一宽度，并且所述第二电介质间隔部具有与栅极线的第二侧侧向相邻的第二宽度，该第二宽度比第二宽度更薄。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述电介质插塞包括电介质材料衬垫和被所述电介质材料衬垫侧向包围的电介质材料填充物。

6.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中所述电介质材料衬垫包括硅和氮。

7.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中所述电介质材料填充物包括硅和氧。

8.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中所述电介质材料衬垫包括硅和氮，并且其中所述电介质材料填充物包括硅和氧。

9.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述电介质插塞包括单一电介质材料。

10.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述第一鳍片和所述第二鳍片包括硅。

11.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述栅线包括高k栅极电介质层和金属栅电极。