[发明专利]显示设备

权利要求书

1.一种显示设备，包括：

电路衬底，其包括驱动电路和第一接合电极；以及

像素阵列，其位于所述电路衬底上，所述像素阵列包括构成多个像素的发光二极管单元以及接合到所述第一接合电极的第二接合电极，其中：

所述发光二极管单元中的每一个包括顺序地堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，并且

所述像素阵列还包括：

波长转换器，其位于所述发光二极管单元上；

上半导体层，其位于所述发光二极管单元上并且具有分隔结构，所述分隔结构围绕所述波长转换器的侧表面并且将所述波长转换器彼此分离；

钝化层，其位于所述发光二极管单元的侧表面上，并且具有倾斜以在朝向所述波长转换器的方向上增大厚度的外侧表面；

第一电极，其位于所述钝化层的外侧表面上并且延伸到所述发光二极管单元之间的区域；

第二电极，其分别位于所述发光二极管单元的下表面上，并且连接到所述第二导电类型半导体层；

共电极，其位于所述发光二极管单元的至少一侧上；以及

焊盘电极，其位于所述发光二极管单元外部并且电连接到所述驱动电路。

2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述钝化层在所述发光二极管单元的下表面上延伸。

3.根据权利要求1所述的显示设备，其中：

所述像素阵列还包括位于所述钝化层与所述发光二极管单元之间的上钝化层，并且

所述上钝化层具有实质上垂直于所述发光二极管单元的下表面的外侧表面。

4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述钝化层包括半导体氧化物，并且所述上钝化层包括金属氧化物。

5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一电极被设置为在垂直于所述发光二极管单元的下表面的方向上不与所述发光二极管单元的有源层和第二导电类型半导体层重叠。

6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一电极在所述钝化层的外侧表面上具有实质上均匀的厚度。

7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一电极被设置为填充所述发光二极管单元之间的空间。

8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述上半导体层连接到所述第一导电类型半导体层，并且包括与所述第一导电类型半导体层的材料相同的材料。

9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述上半导体层包括外延氮化物半导体层。

10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一电极包括与所述第一导电类型半导体层接触的欧姆接触层和位于所述欧姆接触层的下表面上的反射电极层。

11.一种显示设备，包括：

电路衬底，其包括驱动电路；以及

像素阵列，其位于所述电路衬底上，所述像素阵列包括：

发光二极管单元，其构成多个像素，所述发光二极管单元中的每一个包括顺序地堆叠的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；

波长转换器，其位于所述发光二极管单元上；

上半导体层，其位于所述发光二极管单元上并且具有分隔结构，所述分隔结构围绕所述波长转换器的侧表面，并且将所述波长转换器彼此分离；

钝化层，其位于所述发光二极管单元的侧表面上，并且延伸到所述发光二极管单元的下表面的一部分；

第一电极，其沿着所述发光二极管单元的区域以具有栅格形状；

第二电极，其连接到所述第二导电类型半导体层；以及

反射层，其沿着位于所述发光二极管单元的侧表面上的所述钝化层位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且具有朝向所述发光二极管单元的外部倾斜的倾斜表面。

12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述反射层连接到所述第一电极。