[发明专利]一种用于抑制水解的溶液及其制备方法与应用在审
申请号: | 202211686064.2 | 申请日: | 2022-12-27 |
公开(公告)号: | CN116536772A | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 吴景辉;苏默翰;张建伟 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨博睿创富新材料有限公司 |
主分类号: | C30B33/00 | 分类号: | C30B33/00;C30B7/12;C30B29/02 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 郎祺 |
地址: | 150000 黑龙江省哈尔滨市高新技术产业开发区科技创新城*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 抑制 水解 溶液 及其 制备 方法 应用 | ||
本发明涉及水解抑制剂领域;提供一种用于抑制水解的溶液及其制备方法与应用;用于抑制水解的溶液,以去离子水为溶剂,溶质包括:有机酸根阴离子以及硫酸根阴离子;有机酸根阴离子包括:柠檬酸根阴离子;本发明适用于高纯钛晶体,能有效抑制钛离子水解,降低水解产物对高纯钛晶体的污染;本发明采用的原料简单易得且不会对高纯钛晶体的后续处理工艺形成污染,不会影响高纯钛晶体的指标。
技术领域
本发明涉及水解抑制剂领域,尤其涉及一种用于抑制水解的溶液及其制备方法与应用。
背景技术
低氧超高纯钛是一种高端金属材料,是飞机制造、宇宙航天行业必须的关键材料,纯度为99.999%或以上的超高纯钛;
使用熔盐电解法生产的高纯钛晶体,在后续处理时会产生钛离子,钛离子水解产物对高纯钛晶体而言是一种难以去除的污染物;目前市场已有的水解抑制剂,一般应用于冷却水管或工业用水的阻垢剂,主要的功能是尽可能抑制水中的钙镁等可溶性离子水解生成水垢,并不适用于抑制钛离子水解,且一般的水解抑制剂本身也是高纯钛晶体的污染源,不适用于高纯钛晶体的生产。
因此,亟需一种能处理高纯钛晶体,抑制钛离子水解的水解抑制溶液。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术中的不足,提供一种用于抑制水解的溶液及其制备方法与应用。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案是:
本发明的第一方面是提供一种用于抑制水解的溶液,以去离子水为溶剂,溶质包括:有机酸根阴离子以及硫酸根阴离子;所述有机酸根阴离子包括:柠檬酸根阴离子。
优选地,所述溶质还包括:钠阳离子、钾阳离子或铵根阳离子中的至少一种。
更优选地,所述钠阳离子、所述钾阳离子与所述铵根阳离子的摩尔比为1:1:0.05。
优选地,所述有机酸根阴离子还包括:苹果酸根阴离子、酒石酸根阴离子、乙二酸根阴离子、丁二酸根阴离子中的至少一种。
更优选地,所述苹果酸根阴离子、所述酒石酸根阴离子、所述乙二酸根阴离子与所述丁二酸根阴离子的摩尔比为8:7:7:6:8。
本发明的第二方面是提供上述的溶液的制备方法,步骤包括:按阴离子、阳离子以及摩尔份数称取相应的盐,混合于去离子水中,待搅拌充分后加入pH调节剂,pH调整至2.5-4即得。
本发明的第三方面是提供上述的溶液在抑制水解中的应用,采用所述溶液对高纯钛晶体依次进行一次浸泡以及二次浸泡。
优选地,所述一次浸泡的时间为0.5h-1.5h。
优选地,所述二次浸泡的时间为4.5h-6.5h。
优选地,所述高纯钛晶体进行二次浸泡后还进行水洗处理。
本发明采用以上技术方案,与现有技术相比,具有如下技术效果:
本发明适用于高纯钛晶体,能有效抑制钛离子水解,降低水解产物对高纯钛晶体的污染;本发明采用的原料简单易得且不会对高纯钛晶体的后续处理工艺形成污染,不会影响高纯钛晶体的指标。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明,但不作为本发明的限定。
实施例1
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