[发明专利]一种高应变性能的铌酸钾钠基铁电陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种高应变性能的铌酸钾钠基铁电陶瓷，其特征在于，其化学式为：0.90(K_0.48Na_0.52)NbO₃-0.10SrTiO₃。

2.根据权利要求1所述的高应变性能的铌酸钾钠基铁电陶瓷，其特征在于，所述铌酸钾钠基铁电陶瓷粉体具有四方相结构。

3.根据权利要求1或2所述的高应变性能的铌酸钾钠基铁电陶瓷，其特征在于，所述铌酸钾钠基铁电陶瓷粉体的平均晶粒尺寸为0.32～0.35μm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的高应变性能的铌酸钾钠基铁电陶瓷，其特征在于，所述铌酸钾钠基铁电陶瓷粉体在外电场E为60kV/cm下，几乎无迟滞的应变值为0.09～0.11％，且居里温度为133～137℃。

5.如权利要求1-4任一项所述的高应变性能的铌酸钾钠基铁电陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤如下：将各原料混合、烘干、过筛后，经煅烧、球磨、烘干、造粒、压制成型、排胶、烧结和烧银处理后，即得。

6.根据权利要求5所述的高应变性能的铌酸钾钠基铁电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述原料为碳酸钾、碳酸钠、五氧化二铌、氧化锶、二氧化钛。

7.根据权利要求5所述的高应变性能的铌酸钾钠基铁电陶瓷的制备方法，其特征在于，在850～950℃下煅烧，保温3～5h。

8.根据权利要求5所述的高应变性能的铌酸钾钠基铁电陶瓷的制备方法，其特征在于，球磨8～12h，球磨转速为240～280r/min。

9.根据权利要求5所述的高应变性能的铌酸钾钠基铁电陶瓷的制备方法，其特征在于，在580～620℃下保温50～70min排胶。

10.根据权利要求5所述的高应变性能的铌酸钾钠基铁电陶瓷的制备方法，其特征在于，于1200～1250℃下烧结，保温2.5～3.5h。