[发明专利]鳍式晶体管及形成方法

权利要求书

1.一种鳍式晶体管，其特征在于，包括：栅极结构，包括设于沟道区一侧且部分顶面低于源区和/或漏区并具有上小下大形状的侧栅部。

2.如权利要求1所述的鳍式晶体管，其特征在于，所述侧栅部的部分顶面与所述源区和/或所述漏区的高度差在200埃至1500埃之间。

3.如权利要求1所述的鳍式晶体管，其特征在于，所述源区及所述漏区之间的顶面均平齐于所述沟道区。

4.如权利要求2所述的鳍式晶体管，其特征在于，所述侧栅部延伸至所述源区和/或所述漏区的一侧以电连接所述源区和/或所述漏区。

5.如权利要求1所述的鳍式晶体管，其特征在于，所述鳍式晶体管具有并联设置的多个所述沟道区。

6.如权利要求5所述的鳍式晶体管，其特征在于，所述沟道区及所述侧栅部交替设置。

7.如权利要求1所述的鳍式晶体管，其特征在于，所述侧栅部相对于所述沟道区对称或非对称设置。

8.如权利要求1至7任一项所述的鳍式晶体管，其特征在于，所述栅极结构还包括相连所述侧栅部并设于沟道区上的顶栅部。

9.如权利要求8所述的鳍式晶体管，其特征在于，所述顶栅部沿长度方向延伸并至少覆盖所述沟道区。

10.如权利要求1所述的鳍式晶体管，其特征在于，还包括：浅沟槽隔离结构，沿所述侧栅部的一侧全部或者部分围绕所述沟道区、所述源区及所述漏区。

11.一种鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，包括：形成具有上小下大形状的侧栅部之后，于所述侧栅部的一侧形成沟道区、源区及漏区；其中，所述侧栅部的部分顶面低于所述源区和/或所述漏区。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，形成具有上小下大形状的侧栅部之前，还包括：形成内设于衬底的浅沟槽隔离结构，以沿所述侧栅部的另一侧全部或者部分围绕所述沟道区、所述源区及所述漏区。

13.如权利要求12所述的形成方法，其特征在于，形成所述浅沟槽隔离结构之前，还包括：于所述衬底内形成位于所述沟道区的至少一侧并填充有牺牲材料且用于形成所述侧栅部的凹槽。

14.如权利要求13所述的形成方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构相邻所述凹槽。

15.如权利要求14所述的形成方法，其特征在于，形成所述浅沟槽隔离结构之前，所述牺牲材料填充于内设于衬底的初始凹槽，所述浅沟槽隔离结构与部分所述初始凹槽相交叠以形成所述凹槽。

16.如权利要求13所述的形成方法，其特征在于，形成所述浅沟槽隔离结构之前，还包括：于所述衬底内形成内设有侧向光电二极管并用于填充所述牺牲材料的所述凹槽。

17.如权利要求13至16任一项所述的形成方法，其特征在于，形成所述浅沟槽隔离结构之后，去除所述牺牲材料并采用栅极材料填充所述凹槽以形成所述侧栅部。

18.如权利要求17所述的形成方法，其特征在于，所述栅极材料还形成于所述衬底上并图形化形成相连所述侧栅部并设于所述沟道区上的顶栅部，以形成栅极结构。

19.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，通过所述源区和/或所述漏区的离子注入实现与所述侧栅部的电性连接。