[发明专利]压力传感器的制作方法及压力传感器

权利要求书

1.一种压力传感器的制作方法，其特征在于，所述压力传感器的制作方法包括以下步骤：

提供一硅基体，在所述硅基体上形成掩蔽层；

光刻图形化后，在所述硅基体上形成P型轻掺杂区；

通过离子注入或扩散方式，在所述硅基体内形成重掺杂区；

制作电极，以在所述硅基体上制作完成压力感应模块和温度感应模块；

对所述硅基体的底部进行刻蚀形成空腔。

2.根据权利要求1所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述在所述硅基体内形成重掺杂区的步骤包括：

通过离子注入或者扩散方式，在所述P型轻掺杂区位置形成P型重掺杂区；

通过离子注入或者扩散方式，在所述硅基体内形成N型重掺杂区；

所述制作电极的步骤包括：

制作电极分别与所述N型重掺杂区和所述P型重掺杂区连接。

3.根据权利要求2所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述P型轻掺杂区包括左P型轻掺杂区和右P型轻掺杂区，所述在部分所述P型轻掺杂区位置形成P型重掺杂区的步骤包括：

在所述左P型轻掺杂区形成P型重掺杂区，且在所述右P型轻掺杂区位置形成两个P型重掺杂区；

所述在所述硅基体内形成N型重掺杂区的步骤包括：

在所述右P型轻掺杂区内，所述右P型轻掺杂区两侧、以及所述左P型轻掺杂区外分别形成所述N型重掺杂区。

4.根据权利要求2所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述P型轻掺杂区包括左P型轻掺杂区和右P型轻掺杂区，所述在部分所述P型轻掺杂区位置形成P型重掺杂区的步骤包括：

在所述左P型轻掺杂区形成P型重掺杂区，且在所述右P型轻掺杂区位置形成一个P型重掺杂区；

所述在所述硅基体内形成N型重掺杂区的步骤包括：

在所述右P型轻掺杂区两侧分别形成所述N型重掺杂区。

5.根据权利要求2所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述在部分所述P型轻掺杂区位置形成P型重掺杂区的步骤包括：

在部分所述P型轻掺杂区位置注入P型重掺杂离子形成所述P型重掺杂区，所述P型重掺杂离子为硼离子、镓离子或铟离子中的至少一种。

6.根据权利要求2所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述通过离子注入或者扩散方式，在所述硅基体内形成N型重掺杂区的步骤包括：

通过注入N型重掺杂离子，形成所述N型重掺杂区，所述N型重掺杂离子为硼离子、镓离子或铟离子中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述在所述硅基体内形成重掺杂区的步骤包括：

通过离子注入或者扩散方式，在所述P型轻掺杂区位置分别形成P型重掺杂区；

所述制作电极的步骤包括：

制作一电极与所述P型轻掺杂区连接，其余电极分别与所述P型重掺杂区连接。

8.根据权利要求1所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述在所述硅基体内形成重掺杂区的步骤包括：

通过离子注入或者扩散方式，在所述P型轻掺杂区位置分别形成P型重掺杂区；

所述制作电极的步骤包括：

制作电极分别与所述P型重掺杂区连接。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的压力传感器的制作方法，其特征在于，所述制作电极，在所述硅基体上形成压力感应模块和温度感应模块的步骤包括：

在所述掩蔽层对应位置形成接触孔；

在所述接触孔位置分别制作金属连接线和焊盘；

生长保护层，蚀刻掉焊盘位置对应的所述保护层以暴露出焊盘。

10.一种压力传感器，其特征在于，所述压力传感器包括硅基体，所述硅基体的底部形成有底腔，所述底腔的开口与外界连通，所述压力传感器包括压力传感模块和温度传感模块。