[发明专利]一种以SiO2

权利要求书

1.一种以SiO2覆盖的方式阻碍GaN内位错生长的方法，步骤S1：在MOCVD反应室内，在蓝宝石衬底上制备GaN形核层，

其特征在于，还包括：

步骤S2：刻蚀

将衬底及GaN转移出反应室，使用KOH进行选择性刻蚀出沉积槽槽位；

步骤S3：沉积二氧化硅

将衬底转移至PECVD反应室中，去离子水洗净后，在形核层表面沉积一层SiO2薄膜并覆盖住所述槽位；

步骤S4：刻蚀氧化硅

将产品转入RIE刻蚀仓，通入CHF₃，使用反应离子刻蚀刻蚀去除表面的SiO2薄膜，但保留沉积槽内的氧化硅；

步骤S5：继续生长氮化镓

将衬底转移入MOCVD反应室内，继续进行GaN外延生长。

2.根据权利要求1所述的以SiO2覆盖的方式阻aN内位错生长的方法，其特征在于，所述步骤S1中氮化镓形核层的厚度为90-120nm。

3.根据权利要求2所述的以SiO2覆盖的方式阻碍GaN内位错生长的方法，其特征在于，所述步骤S2中刻蚀出倒三角形槽位。

4.根据权利要求1所述的以SiO2覆盖的方式阻碍GaN内位错生长的方法，其特征在于，所述步骤S2的刻蚀过程为：先采用丙酮、乙醇和去离子水对样品进行超声清洗，以去除表面有机污染物；然后将样品使用微波加热至250℃，将熔融氢氧化钾涂抹至氮化镓外延片表面，腐蚀，利用穿透位错处易于腐蚀的特点将衬底氮化镓刻蚀出沉积槽，便于SiO2覆盖。

5.根据权利要求1所述的以SiO2覆盖的方式阻碍GaN内位错生长的方法，其特征在于，所述步骤S3沉积SiO2薄膜层厚度为80-100nm。

6.根据权利要求1所述的以SiO2覆盖的方式阻碍GaN内位错生长的方法，其特征在于，所述S5步骤具体为：在1000～1100℃的温度下，将所述氮化镓衬底置于的托盘上，通入三甲基镓和氨气，于所述氮化镓衬底表面生长氮化镓外延层。