[发明专利]一种新型P型晶体硅太阳电池的制备方法

权利要求书

1.一种新型P型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S1、对P型单晶硅片的正面制绒，在所述正面形成陷光绒面；

S2、在所述P型单晶硅片的正面进行磷扩散形成磷摻杂面，包括在去除绕镀后的P型单晶硅片表面通过POCl₃液态扩散源热在正面进行磷扩散以形成发射极PN结作为选择性发射极，且去除所述正面的磷硅玻璃；

S3、清洗所述P型单晶硅片的背面的氧化层，并利用强酸或强碱溶液抛光所述背面，所述背面为电池的非磷掺杂面；

S4、对所述P型单晶硅片的背面进行氧化，形成SiO₂氧化层；

S6、在所述正面沉积SiN_x层；

S7、所述P型单晶硅片采用单卡位单插的方式放置，在所述正面和背面同时形成AlO_x层，所述P型单晶硅片的正面的AlO_x层为全覆盖且位于SiN_x层上方，用于使得折射率的次序发生调换的变化，进而有利于光线的全反射，增加电池对入射光的有效吸收；所述AlO_x层厚度为1-4nm；

S8、在所述背面沉积SiN_x层；

S9、在所述背面采用刻蚀浆料开孔，刻蚀掉开孔部位的氧化铝层和氮化硅层；

S10、在所述正面和背面形成金属电极，具体包括丝网印刷背面铝浆，银浆和正面银浆，或采用热蒸发或溅射制备背面金属铝电极。

2.根据权利要求1所述的新型P型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述S1之前还包括去除硅片表面杂质及机械损伤，去除酸或碱液制绒形成减反射结构及化学清洗；

所述P型单晶硅片包括P型硅片、P型硅片经过硼重掺后的P⁺硅片以及N型硅片经过硼掺杂后的P型硅片。

3.根据权利要求1所述的新型P型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S9中刻蚀浆料开孔后，将制备的硅片漂过含有HF酸或HF和HCl混酸的溶液，即开孔的背表面与溶液接触，正面不与溶液接触，刻蚀去边pn+结，同时去除残留浆料和去除浆料刻蚀开孔处硅表面损伤层；然后去离子水清洗，吹干；所述氢氟酸为体积比HF∶H2O＝1∶10-50；所述HF和HCl混酸为体积比HF∶HCl∶H2O＝2∶5∶50。

4.根据权利要求1所述的新型P型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述S4中氧化方法具体包括采用浓硝酸氧化，具体包括采用质量浓度为65％-75％的浓硝酸氧化硅片的表面，控制温度为20-120℃，反应时间不超过10min，完成浓硝酸氧化。

5.根据权利要求1所述的新型P型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述S4中氧化方法具体包括采用臭氧氧化，具体包括采用浓度为10～500ppm的臭氧氧化硅片的表面，控制温度为20-100℃，反应时间不超过10min，完成臭氧氧化。

6.根据权利要求1所述的新型P型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述S4中氧化方法具体包括在氧气或者氮氧混合气氛围中对硅片表面进行加热，氧气体积浓度为10％-100％，控制温度为500-800℃，时间不超过30min，完成热氧化。

7.根据权利要求1所述的新型P型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S6具体包括在发射极表面采用等离子体化学气相沉积形成厚度为60-100nm、折射率为1.7-2.8的非晶氮化硅薄膜。

8.根据权利要求1所述的新型P型晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S7具体包括采用原子层沉积系统同时在氮化硅层表面和背面制备厚度为10-100nm的氧化铝层。