[发明专利]一种量子点光转换薄膜制作方法

权利要求书

1.一种量子点光转换薄膜制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一凹模板，其中，所述凹模板上设置有多个图案化凹槽；

沿所述凹模板的表面旋涂量子点聚合物复合材料，并形成量子点聚合物薄膜层；

提供一临时基底，并将所述量子点聚合物薄膜层转移至所述临时衬底；

在所述临时基底上去除量子点聚合物薄膜层中多余的量子点聚合物复合材料，并在所述临时基底上形成多个图案化量子点；

将所述图案化量子点转移至目标基底。

2.如权利要求1所述的量子点光转换薄膜制作方法，其特征在于，提供一凹模板的步骤包括：

提供一硅衬底；

沿所述硅衬底的表面制作光刻胶掩膜；

基于所述光刻胶掩膜对所述硅衬底进行刻蚀，并形成凹模板。

3.如权利要求2所述的量子点光转换薄膜制作方法，其特征在于，在形成凹模板的步骤之后，所述方法还包括：

对所述凹模板进行表面OST处理。

4.如权利要求1所述的量子点光转换薄膜制作方法，其特征在于，将所述量子点聚合物薄膜层转移至所述临时衬底的步骤包括：

在所述临时基底的表面旋涂黏性材料；

利用所述黏性材料与所述量子点聚合物薄膜层接触，并将所述量子点聚合物薄膜层转移至所述的临时基底。

5.如权利要求1所述的量子点光转换薄膜制作方法，其特征在于，提供一临时基底的步骤包括：

提供一玻璃基底或透明柔性胶带。

6.如权利要求1所述的量子点光转换薄膜制作方法，其特征在于，在所述临时基底上去除量子点聚合物薄膜层中多余的量子点聚合物复合材料的步骤包括：

利用等离子刻蚀技术在所述临时基底上去除量子点聚合物薄膜层中多余的量子点聚合物复合材料。

7.如权利要求1所述的量子点光转换薄膜制作方法，其特征在于，将所述图案化量子点转移至目标基底的步骤包括：

提供一目标基底；

沿所述目标基底的表面旋涂黏性材料；

利用所述黏性材料与所述图案化量子点接触，并将所述图案化量子点转移至所述的临时基底。

8.如权利要求7所述的量子点光转换薄膜制作方法，其特征在于，提供一临时基底的步骤后，所述方法还包括：

沿所述临时基底的表面旋涂第一黏性材料；

沿所述目标基底的表面旋涂黏性材料的步骤包括：

沿所述目标基底的表面旋涂第二黏性材料，其中，所述第二黏性材料的黏性大于所述第一黏性材料的黏性。

9.如权利要求7所述的量子点光转换薄膜制作方法，其特征在于，提供一目标基底的步骤包括：

提供一玻璃基底或透明柔性胶带。

10.如权利要求1所述的量子点光转换薄膜制作方法，其特征在于，在将所述图案化量子点转移至目标基底的步骤之后，所述方法还包括：

沿所述凹模板的表面旋涂另一颜色的量子点聚合物复合材料，并将另一颜色的量子点聚合物复合材料转移至临时基底；

在所述临时基底上去除另一颜色的量子点聚合物薄膜层中多余的量子点聚合物复合材料，并在所述临时基底上形成另一颜色的多个图案化量子点；

将所述另一颜色的多个图案化量子点转移至所述目标基底。