[发明专利]一种用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构在审
申请号: | 202211707653.4 | 申请日: | 2022-12-29 |
公开(公告)号: | CN116417531A | 公开(公告)日: | 2023-07-11 |
发明(设计)人: | 潘旭;刘绍斌;柯尊贵;陈剑;代千;覃文治;谢骞 | 申请(专利权)人: | 西南技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/0304 | 分类号: | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/101 |
代理公司: | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人: | 刘二格 |
地址: | 610041 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 in 组分 ingaas 探测器 纺锤 缓冲 结构 | ||
1.一种用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构,其特征在于,包括,在半导体衬底上外延In组分呈纺锤型递变的InGaAs外延层作为缓冲层,缓冲层上方形成InGaAs探测器吸收层。
2.如权利要求1所述的用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构,其特征在于,所述半导体衬底材质为GaAs、InP、Ge、Si中的一种。
3.如权利要求2所述的用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构,其特征在于,所述的InGaAs外延层的递变方式为梯度递变。
4.如权利要求3所述的用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构,其特征在于,所述的InGaAs外延层中,In组分从靠近半导体衬底中的In组分开始,按1%-5%递变梯度进行递变,每层厚度为10-200nm。
5.如权利要求4所述的用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构,其特征在于,所述的InGaAs外延层中,In组分最大分量是100%,对应层组分为InAs。
6.如权利要求5所述的用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构,其特征在于,所述的InGaAs外延层中,In组分递变到达InAs后开始进行反向递变,反向递变步长为1%-5%,反向递变最终In组分接近吸收层中的In组分。
7.如权利要求6所述的用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构,其特征在于,所述吸收层为In0.82Ga0.2As。
8.如权利要求7所述的用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构,其特征在于,所述InGaAs纺锤型缓冲层由下至上的层结构依次包括100nm In0.53Ga0.47As、100nmIn0.58Ga0.42As、100nm In0.63Ga0.37As、100nm In0.68Ga0.32As、100nm In0.73Ga0.27As、100nmIn0.78Ga0.22As、100nm In0.83Ga0.17As、100nm In0.88Ga0.12As、100nm In0.93Ga0.07As、100nmIn0.98Ga0.02As、100nm InAs、100nm In0.98Ga0.02As、100nm In0.93Ga0.07As、100nmIn0.88Ga0.12As、100nm In0.83Ga0.17As。
9.一种InGaAs探测器,其特征在于,包括权利要求1-8中任一项所述的纺锤型缓冲层结构。
10.一种基于权利要求1-8中任一项所述的纺锤型缓冲层结构在半导体光电子材料与器件技术领域中的应用。
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