[发明专利]一种用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构在审
| 申请号： | 202211707653.4 | 申请日： | 2022-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN116417531A | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 潘旭;刘绍斌;柯尊贵;陈剑;代千;覃文治;谢骞 | 申请（专利权）人： | 西南技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/101 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 刘二格 |
| 地址： | 610041 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 in 组分 ingaas 探测器 纺锤 缓冲 结构 | ||
1.一种用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构，其特征在于，包括，在半导体衬底上外延In组分呈纺锤型递变的InGaAs外延层作为缓冲层，缓冲层上方形成InGaAs探测器吸收层。
2.如权利要求1所述的用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构，其特征在于，所述半导体衬底材质为GaAs、InP、Ge、Si中的一种。
3.如权利要求2所述的用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构，其特征在于，所述的InGaAs外延层的递变方式为梯度递变。
4.如权利要求3所述的用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构，其特征在于，所述的InGaAs外延层中，In组分从靠近半导体衬底中的In组分开始，按1％-5％递变梯度进行递变，每层厚度为10-200nm。
5.如权利要求4所述的用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构，其特征在于，所述的InGaAs外延层中，In组分最大分量是100％，对应层组分为InAs。
6.如权利要求5所述的用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构，其特征在于，所述的InGaAs外延层中，In组分递变到达InAs后开始进行反向递变，反向递变步长为1％-5％，反向递变最终In组分接近吸收层中的In组分。
7.如权利要求6所述的用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构，其特征在于，所述吸收层为In0.82Ga0.2As。
8.如权利要求7所述的用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构，其特征在于，所述InGaAs纺锤型缓冲层由下至上的层结构依次包括100nm In0.53Ga0.47As、100nmIn0.58Ga0.42As、100nm In0.63Ga0.37As、100nm In0.68Ga0.32As、100nm In0.73Ga0.27As、100nmIn0.78Ga0.22As、100nm In0.83Ga0.17As、100nm In0.88Ga0.12As、100nm In0.93Ga0.07As、100nmIn0.98Ga0.02As、100nm InAs、100nm In0.98Ga0.02As、100nm In0.93Ga0.07As、100nmIn0.88Ga0.12As、100nm In0.83Ga0.17As。
9.一种InGaAs探测器，其特征在于，包括权利要求1-8中任一项所述的纺锤型缓冲层结构。
10.一种基于权利要求1-8中任一项所述的纺锤型缓冲层结构在半导体光电子材料与器件技术领域中的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南技术物理研究所，未经西南技术物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211707653.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
