[发明专利]一种集成电路晶片及其制造方法在审
| 申请号： | 202211710673.7 | 申请日： | 2022-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN116053190A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 卢珂;柳会雄 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/71 | 分类号： | H01L21/71;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高雪 |
| 地址： | 201807 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 晶片 及其 制造 方法 | ||
1.一种集成电路晶片的制造方法，其特征在于，包括：
在硅片基底的正面进行有源区光刻，并对所述有源区洗边；
在有源区表面设置栅极光刻的图形掩膜层，并对所述图形掩膜层洗边，得到栅极光刻前置物；
在所述栅极光刻前置物的正面设置栅极光刻层，并对所述栅极光刻层洗边；所述栅极光刻层的洗边边缘位于所述图形掩膜层的洗边边缘及所述有源区的洗边边缘之间；
对设置过所述栅极光刻层的栅极光刻前置物进行光刻及刻蚀，在所述栅极光刻前置物的正面得到图形化的伪多晶硅栅，得到晶片前驱体；
在所述晶片前驱体的正面沉积填充复合层；所述填充复合层包括填充介质层及停止层；
对所述填充复合层进行平坦化抛光，暴露所述伪多晶硅栅；
刻蚀去除所述伪多晶硅栅并在所述晶片前驱体的正面设置金属栅，得到所述集成电路晶片。
2.如权利要求1所述的集成电路晶片的制造方法，其特征在于，所述栅极光刻层为包括多个层叠设置的子层，且每个所述子层完成设置后均进行洗边。
3.如权利要求2所述的集成电路晶片的制造方法，其特征在于，所述子层的洗边边缘的位置不同。
4.如权利要求3所述的集成电路晶片的制造方法，其特征在于，位于所述栅极光刻层中存在至少一个子层的洗边边缘比最内侧的子层的洗边边缘更靠近所述有源区的洗边边缘。
5.如权利要求2所述的集成电路晶片的制造方法，其特征在于，所述栅极光刻层从内到外依次包括有机碳层、底部抗反射层及光刻胶层。
6.如权利要求1所述的集成电路晶片的制造方法，其特征在于，所述平坦化抛光为化学机械研磨抛光。
7.如权利要求1所述的集成电路晶片的制造方法，其特征在于，所述填充介质层为填充介质氧化硅层。
8.如权利要求1所述的集成电路晶片的制造方法，其特征在于，所述停止层为停止氮化硅层。
9.如权利要求1至8任一项所述的集成电路晶片的制造方法，其特征在于，所述集成电路晶片的制造方法中的洗边为边缘光刻胶去除及硅片边缘曝光中的至少一种。
10.一种集成电路晶片，其特征在于，所述集成电路晶片为通过如权利要求1至9任一项所述的集成电路晶片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
