[发明专利]显示面板和其制造方法在审
申请号: | 202211713486.4 | 申请日: | 2022-12-27 |
公开(公告)号: | CN115842034A | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 简逸朋;林岱佐;杜振源;魏文勇 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;G09F9/302;G09G3/20;H01L27/12;H01L21/77;H10K59/12;H10K59/131;H10K59/121;H10K59/124 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王锐 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制造 方法 | ||
本发明公开一种显示面板和其制造方法,其中该显示面板包括基板、位于基板上方的像素衬垫层,以及位于基板上方且电连接至像素衬垫层的接触件堆叠。接触件堆叠包括第一金属层、位于第一金属层上方的第二金属层,以及位于第一金属层和第二金属层之间的第一层间绝缘层。第一层间绝缘层包括覆盖第一金属层的顶表面的边缘的第一顶部部分。第二金属层电连接至第一层间绝缘层所暴露的第一金属层的顶表面。第一层间绝缘层的侧壁从基板的侧壁内缩大于0的第一距离。
技术领域
本发明涉及显示面板和其制造方法,且特别是涉及显示面板的周边电路区。
背景技术
在显示装置中拼接多个显示面板来形成显示装置的显示区,可以使显示装置的成像效果更精细,也更容易维护显示装置的功能。为了同时提供电子信号至多个显示面板,不同显示面板之间可彼此电连接。然而,显示面板的多层结构在切割制作工艺中可能发生周边破损的情况,使得显示面板之间难以准确拼接,进而影响显示装置的成像效果。因此,如何避免上述显示面板的缺陷以提高显示装置的功能性是显示装置领域中待解决的问题之一。
发明内容
根据本发明的一些实施例,一种显示面板包括基板、位于基板上方的像素衬垫层,以及位于基板上方且电连接至像素衬垫层的接触件堆叠。接触件堆叠包括第一金属层、位于第一金属层上方的第二金属层,以及位于第一金属层和第二金属层之间的第一层间绝缘层。第一层间绝缘层包括覆盖第一金属层的顶表面的边缘的第一顶部部分。第二金属层电连接至第一层间绝缘层所暴露的第一金属层的顶表面。第一层间绝缘层的侧壁从基板的侧壁内缩大于0的第一距离。
在一些实施例中,第一层间绝缘层的侧壁从基板的侧壁内缩的第一距离介于0.1微米至1微米之间。
在一些实施例中,第二金属层的侧壁与基板的侧壁之间的第二距离介于20微米至200微米之间。
在一些实施例中,第一层间绝缘层包括覆盖第一金属层的侧壁的侧边部分,且第二金属层覆盖第一层间绝缘层的侧边部分。
在一些实施例中,第一金属层的顶表面和第二金属层的底表面夹置第一层间绝缘层的第一顶部部分。
在一些实施例中,第一层间绝缘层包括暴露第一金属层的顶表面的第一开口,第二金属层延伸穿过第一开口而接触第一金属层的顶表面。
在一些实施例中,接触件堆叠进一步包括位于第一层间绝缘层和第二金属层之间的第三金属层以及位于第三金属层和第二金属层之间的第二层间绝缘层,其中第二层间绝缘层包括覆盖第三金属层的顶表面的边缘的第二顶部部分。
在一些实施例中,第二层间绝缘层的侧壁从第一层间绝缘层的侧壁内缩大于0的第三距离。
在一些实施例中,第二层间绝缘层的侧壁从第一层间绝缘层的侧壁内缩的第三距离介于0.1微米至1微米之间。
在一些实施例中,第一层间绝缘层包括覆盖第一金属层的侧壁的第一侧边部分,第三金属层覆盖第一层间绝缘层的第一侧边部分,第二层间绝缘层包括覆盖第三金属层的侧壁的第二侧边部分,且第二金属层覆盖第二层间绝缘层的第二侧边部分。
在一些实施例中,接触件堆叠进一步包括位于第一金属层下方的金属底层以及位于金属底层和第一金属层之间的介电层,其中介电层包括暴露金属底层的顶表面的第二开口,第一金属层延伸穿过第二开口而接触金属底层。
在一些实施例中,介电层的侧壁与基板的侧壁齐平。
在一些实施例中,接触件堆叠位于显示面板的周边电路区中。
在一些实施例中,显示面板进一步包括透明导电层连续覆盖像素衬垫层和接触件堆叠。
在一些实施例中,透明导电层的侧壁与基板的侧壁位于不同平面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的