[发明专利]一种多层陶瓷基板的制作方法以及真空压合装置

说明书

本发明提供的多层陶瓷基板的制作方法以及真空压合装置，涉及陶瓷基板制作方法领域。该多层陶瓷基板的制作方法包括：准备多块带有导电线路的陶瓷板材；选择粘接剂，并将粘接剂涂覆在每一块陶瓷板材上，以将多块陶瓷板材粘接成多层的陶瓷基板结构；提供真空压合装置，设置真空压合装置的压合参数，对多层的陶瓷基板结构进行压合成型处理，以得到多层陶瓷基板，其中，真空压合装置的压合参数包括压合温度以及压合压力。本发明利用压合成型的方法制作多层陶瓷基板，而未使用高温烧结处理成型多层陶瓷基板，既可以解决陶瓷基板烧结在过程中因温度要求过高引起的耗能高的问题，也能够解决陶瓷基板烧结过程中尺寸收缩的问题。

技术领域

本发明涉及陶瓷基板制作方法领域，尤其涉及一种多层陶瓷基板的制作方法以及真空压合装置。

背景技术

陶瓷具有一系列优秀的机械和电性能优势(低的线膨胀系数，低的介电常数，介质损耗，尺寸稳定性好，受温度和湿度影响小，抗辐射)，使得其在半导体封装领域应用越来越广泛。

多层陶瓷基板是陶瓷基板的一种，其制作方法分为LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic，低温共烧陶瓷)和HTCC(High Temperature Co-fired Ceramic，高温共烧陶瓷)两种。采用丝网印刷在陶瓷胚片上制备金属线路层，然后将多层生胚片堆叠后烧结而成，虽然采用LTCC和HTCC成型的多层陶瓷基板的集成度高、耐热性好，但是，LTCC制作温度需要到600℃～800℃，HTCC制作温度需要到1500摄氏度以上。制作过程中温度高消耗大量的能源，同时在烧结的过程中陶瓷片收缩率大，一般会达到20％以上，这些均不利于多层陶瓷基板制作。

发明内容

本发明实施例公开了一种多层陶瓷基板的制作方法以及真空压合装置，其利用真空压合装置压合成型的方法制作多层陶瓷基板，从而避免使用高温烧结处理成型多层陶瓷基板，既可以解决陶瓷基板烧结在过程中因温度要求过高引起的耗能高的问题，也能够解决陶瓷基板烧结过程中尺寸收缩的问题。

第一个方面，本发明公开了一种多层陶瓷基板的制作方法，用于制作多层陶瓷基板，所述制作方法包括：

准备多块带有导电线路的陶瓷板材；

选择粘接剂，并将所述粘接剂涂覆在每一块陶瓷板材上，以将所述多块陶瓷板材粘接成多层的陶瓷基板结构；

提供真空压合装置，设置所述真空压合装置的压合参数，对所述多层的陶瓷基板结构进行压合成型处理，以得到多层陶瓷基板，其中，所述真空压合装置的压合参数包括压合温度以及压合压力。

作为一种可选的实施方式，所述准备多块带有导电线路的陶瓷板材的步骤包括：

采用丝网印刷在陶瓷板材上制备金属线路层，所述金属线路层形成为所述导电线路。

作为一种可选的实施方式，所述粘接剂包括压敏胶或热固胶；

在所述选择粘接剂，并将所述粘接剂涂覆在每一块陶瓷板材上，以将所述多块陶瓷基板粘接成多层的陶瓷基板结构的步骤中，将压敏胶或热固胶涂覆于每一块陶瓷板材上，以通过所述压敏胶或热固胶将多块陶瓷板材粘接成多层的陶瓷基板结构。

作为一种可选的实施方式，将所述压敏胶或热固胶涂覆于所述陶瓷板材的两侧面。

作为一种可选的实施方式，所述设置真空压合装置的压合参数，对所述多层的陶瓷基板结构进行压合成型处理，以成型多层陶瓷基板的步骤中，控制所述真空压合装置的压合温度在200摄氏度以内。

第二个方面，本发明公开了一种真空压合装置，用于实施前述任一项的多层陶瓷基板的制作方法，所述真空压合装置包括压机主体、第一压合磨具、第二压合磨具和定位部件；

所述第一压合磨具和所述第二压合磨具位置相对且相互间隔地安装于所述压机主体上，且所述压机主体用于使所述第一压合磨具和所述第二压合磨具相互靠近或远离；