[发明专利]静电放电电流的抑制电路、显示器和设备终端在审
| 申请号： | 202211717832.6 | 申请日： | 2022-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN116191380A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 谭力;施伟;宋羲燮 | 申请（专利权）人： | 晟合微电子（肇庆）有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02;H02H9/04;H02H7/20;G09G3/3208 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 王敏生 |
| 地址： | 526000 广东省肇庆市鼎湖区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 放电 电流 抑制 电路 显示器 设备 终端 | ||
1.一种静电放电电流的抑制电路，其特征在于，包括：
静电放电钳位单元，用于对输入电源的静电放电电流进行第一级衰减；
去耦单元，用于对所述静电放电钳位单元的输出电流进行第二级衰减；
所述去耦单元包括多个并联连接的去耦子单元，每个去耦子单元均包括串联连接的开关管电容和保护电阻，所述保护电阻的一端与所述静电放电钳位单元的输出端相连接，所述保护电阻的另一端与所述开关管电容的栅极控制端相连接。
2.根据权利要求1所述的抑制电路，其特征在于，所述抑制电路还包括核心设计电路单元，所述核心设计电路单元的输入端与所述去耦单元的输出端电性连接。
3.根据权利要求1所述的抑制电路，其特征在于，所述开关管电容为PMOS开关管电容。
4.根据权利要求1所述的抑制电路，其特征在于，所述开关管电容为NMOS开关管电容。
5.根据权利要求1所述的抑制电路，其特征在于，所述保护电阻为0.5KΩ～1KΩ。
6.根据权利要求1所述的抑制电路，其特征在于，所述开关管电容为0.8pF～1.2pF。
7.根据权利要求2所述的抑制电路，其特征在于，所述核心设计电路单元包括锁存电路单元、反相器电路单元、存储电路单元以及数据选择器电路单元中的任意一种。
8.根据权利要求7所述的抑制电路，其特征在于，所述存储电路单元为非易失性存储单元。
9.一种OLED显示器，其特征在于，包括权利要求1至7中任一项所述的抑制电路。
10.一种设备终端，其特征在于，包括权利要求9所述的OLED显示器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晟合微电子（肇庆）有限公司，未经晟合微电子（肇庆）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211717832.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
