[发明专利]一类具有空穴传输能力的有机半导体材料

权利要求书

1.一类具有空穴传输能力的有机半导体材料，其结构为：

R为以下结构：

其正辛基n-C₈H₁₇在噻吩环上的取代位置可以为3，4或者5。

2.一种权利要求1任一所述的一类具有空穴传输能力的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述有机半导体材料的合成步骤如下所示：

噻吩首先被酰基化得到中间体A；中间体A的羰基被还原，得到正辛基取代的中间体B；中间体B在-78℃下与正丁基锂及三丁基氯化锡反应，得到锡试剂C；芘溴化后得到中间体1，3，6，8-四溴芘D；中间体D与C经Still偶联反应得到材料(I)；

所述有机半导体材料的合成路径如下所示：

3.一种有机场效应晶体管，其特征在于，包括硅衬底(栅极)、绝缘层、界面修饰层、有机半导体层、金属电极(源极、漏极)；所述的有机半导体层包括上述的有机半导体材料。

4.根据权利要求3所述有机场效应晶体管的制备方法：其特征在于，先将衬底浸泡在界面修饰材料的溶液中形成界面修饰层；然后移至高真空系统中，加热权利要求1所述的有机半导体材料，气相沉积后制得有机半导体层，最后制备源漏电极。

5.本发明提供一类具有空穴传输能力的有机半导体材料在有机场效应晶体管中的应用。