[发明专利]一种外延层的薄膜质量检测方法

权利要求书

1.一种外延层的薄膜质量检测方法，其特征在于，包含以下步骤：

S1，提供一处理腔室及衬底；

S2，进行外延工艺，在所述衬底上沉积至少两层被测外延层，所述被测外延层包括掺杂剂，不同所述被测外延层之间含有的掺杂剂浓度不同；

S3，结束外延工艺，通过测量装置检测所述被测外延层的薄膜质量。

2.如权利要求1所述的外延层的薄膜质量检测方法，其特征在于，在步骤S2中，先在衬底上沉积间隔层，然后再沉积至少两层被测外延层。

3.如权利要求1所述的外延层的薄膜质量检测方法，其特征在于，在步骤S2中，在沉积所述被测外延层之前，先沉积间隔层。

4.如权利要求2或3所述的外延层的薄膜质量检测方法，其特征在于，所述间隔层和被测外延层的沉积材料不同。

5.如权利要求2或3所述的外延层的薄膜质量检测方法，其特征在于，不同所述间隔层之间，间隔层的沉积材料和沉积工艺相同。

6.如权利要求1所述的外延层的薄膜质量检测方法，其特征在于，在步骤S2中，距离所述衬底越远，所述被测外延层的掺杂剂浓度越低。

7.如权利要求1所述的外延层的薄膜质量检测方法，其特征在于，在步骤S2中，沉积所述被测外延层具体为：向所述处理腔室内通入工艺气体并沉积，所述工艺气体包括沉积气体及掺杂剂；所述沉积气体包含至少一种IVA族半导体前驱体，所述掺杂剂包含至少一种IIIA族掺杂剂前驱体或VA族掺杂剂前驱体。

8.如权利要求7所述的外延层的薄膜质量检测方法，其特征在于，所述工艺气体还包括刻蚀气体。

9.如权利要求7所述的外延层的薄膜质量检测方法，其特征在于，所述IVA族半导体前驱体包含甲硅烷(SiH₄)、乙硅烷(Si₂H₆)、丙硅烷(Si₃H₈)、丁硅烷(Si₄H₁₀)、异戊硅烷(Si₅H₁₂)、新戊硅烷(Si₅H₁₂)、二氯硅烷(SiH₂Cl₂)、三氯硅烷(SiHCl₃)、甲锗烷(GeH₄)、乙锗烷(Ge₂H₆)、丙锗烷(Ge₃H₈)、甲基硅烷(CH₃-SiH₃)中的任意一种或者任意两种以上的组合。

10.如权利要求7所述的外延层的薄膜质量检测方法，其特征在于，所述IIIA族掺杂剂前驱体包含硼烷(BH₃)、乙硼烷(B₂H₆)、三氯化硼(BCl₃)、溴化硼(BBr₃)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)中的任意一种或者任意两种以上的组合。

11.如权利要求7所述的外延层的薄膜质量检测方法，其特征在于，所述VA族掺杂剂前驱体包含磷化物或砷化物中的任意一种或者任意两种以上的组合。

12.如权利要求11所述的外延层的薄膜质量检测方法，其特征在于，所述磷化物至少包含磷烷(PH₃)、氯化磷(PCl₃)、溴化磷(PBr₃)，所述砷化物至少包含砷烷(AsH₃)、三氯化砷(AsCl₃)。