[发明专利]负载开关、芯片及电子设备在审
申请号: | 202211722844.8 | 申请日: | 2022-12-30 |
公开(公告)号: | CN116232294A | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 林克龙;于翔 | 申请(专利权)人: | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/081 | 分类号: | H03K17/081 |
代理公司: | 北京慧加伦知识产权代理有限公司 16035 | 代理人: | 李强;李志刚 |
地址: | 100089 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 负载 开关 芯片 电子设备 | ||
1.一种负载开关,其特征在于,包括:功率管电路、使能控制电路、驱动电路,
其中,所述功率管电路的输入端接收输入电压、输出端输出输出电压、驱动端耦接所述驱动电路,被配置为通过晶体管的开通和截止实现所述负载开关的开关功能;
所述使能控制电路,被配置为在所述输入电压大于等于阈值电压时,根据使能信号、所述输入电压以及第一使能控制模块中的第一晶体管控制所述功率管电路中晶体管的开通和关断;在所述输入电压小于阈值电压时,根据使能信号、所述输入电压以及第二使能控制模块中的第二晶体管将所述驱动端的电压泄放来阻止所述输出端与所述输入端的反向直通;
所述驱动电路,被配置为向所述驱动端提供使所述功率管电路的晶体管充分导通的栅极驱动电压。
2.根据权利要求1所述的负载开关,其特征在于,所述第二使能控制模块还包括:第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、正相施密特触发器,
其中,所述第二晶体管的第一极耦接所述驱动端,所述第二晶体管的第二极耦接接地端,所述第二晶体管的控制极分别耦接所述第四晶体管的第一极、所述第五晶体管的第一极;
所述第三晶体管的第一极耦接所述第四晶体管的第二极,所述第三晶体管的第二极耦接接地端,所述第三晶体管的控制极耦接所述正相施密特触发器的输出端;
所述第五晶体管的第二极耦接所述输出端,所述第四晶体管的控制极耦接所述第五晶体管的控制极,所述第四晶体管的控制极和所述第五晶体管的控制极都接收所述输入电压;
所述正相施密特触发器的输入端接收所述使能信号,所述正相施密特触发器的第一电压输入端接收所述输入电压,所述正相施密特触发器的第二电压输入端耦接接地端。
3.根据权利要求1所述的负载开关,其特征在于,所述第一使能控制模块还包括:反相施密特触发器,
其中,所述第一晶体管的第一极耦接所述驱动端,所述第一晶体管的第二极耦接接地端,所述第一晶体管的控制极耦接所述反相施密特触发器输出端;
所述反相施密特触发器的输入端接收所述使能信号,所述反相施密特触发器的第一电压输入端接收所述输入电压,所述反相施密特触发器的第二电压输入端耦接接地端。
4.根据权利要求2所述的负载开关,其特征在于,所述第一使能控制模块还包括:反相器,
其中,所述第一晶体管的第一极耦接所述驱动端,所述第一晶体管的第二极耦接接地端,所述第一晶体管的控制极耦接所述反相器的输出端;
所述反相器的输入端耦接所述正相施密特触发器的输出端,所述反相器的第一电压输入端接收所述输入电压,所述反相器的第二电压输入端耦接接地端。
5.根据权利要求2所述的负载开关,其特征在于,所述第四晶体管为N型晶体管,所述第五晶体管为P型晶体管。
6.根据权利要求1中所述的负载开关,其特征在于,所述阈值电压为所述功率管电路中的晶体管、所述第一晶体管、所述第二晶体管的晶体管阈值电压。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的负载开关,其特征在于,所述功率管电路包括:第六晶体管、第七晶体管,
其中,所述第六晶体管的第一极接收所述输入电压,所述第七晶体管的第一极输出所述输出电压,所述第六晶体管的第二极耦接所述第七晶体管的第二极,所述第六晶体管的控制极耦接所述第七晶体管的控制极;
所述第六晶体管的控制极和所述第七晶体管的控制极作为所述驱动端。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的负载开关,其特征在于,所述驱动电路包括:电荷泵,
所述电荷泵的输出端分别耦接所述驱动端、所述第一晶体管的第一极、所述第二晶体管的第一极。
9.一种芯片,其特征在于,包括根据权利要求1-8中任一项所述的负载开关。
10.一种电子设备,其特征在于,包括根据权利要求9所述的芯片。
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