[发明专利]基于激光切割的微流控芯片加工方法

权利要求书

1.一种基于激光切割的微流控芯片加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、生成激光雕刻切割设备可读的设计图形文件：

采用计算机辅助软件绘制微流控芯片结构，包括芯片盖板(1)、芯片底板(5)、流通通道层(2)，生成为激光雕刻切割设备可读的设计图形文件；

步骤2、切割微流控芯片各个结构：

将设计图形文件导入激光雕刻切割设备，根据设计图形文件，依次将芯片盖板(1)、芯片底板(5)和流通通道层(2)的基片经激光雕刻切割后得到微流控芯片各个结构，其中，所述流通通道层(2)基片为双面胶；

步骤3、制得微流控芯片：

将微流控芯片各个结构由下自上按照芯片底板(5)、流通通道层(2)和芯片盖板(1)依次盖合，利用流通通道层(2)的双面胶粘接后得到微流控芯片成品。

2.根据权利要求1所述的基于激光切割的微流控芯片加工方法，其特征在于：

所述步骤2具体为：

设置芯片盖板(1)为第一图层，通过设定激光雕刻切割设备的激光功率、激光移动速度和切割循环圈数对芯片盖板(1)的基片，根据设计图形文件进行切割；

设置流通通道层(2)为第二图层，通过设定激光雕刻切割设备的激光功率、激光移动速度和切割循环圈数，对流通通道层(2)的基片，根据设计图形文件进行切割并在流通通道层(2)上雕刻流通通道；

设置芯片底板(5)为第三图层，通过设定激光雕刻切割设备的激光功率、激光移动速度和切割循环圈数，根据设计图形文件对芯片底板(5)进行切割。

3.根据权利要求2所述的基于激光切割的微流控芯片加工方法，其特征在于：

所述步骤2中：

切割芯片盖板(1)基片时，设定激光功率2-5W，激光移动速度50-150mm/s，切割循环圈数为60-90，对芯片盖板(1)基片进行切割；

切割流通通道层(2)基片时，设定激光功率2-5W，激光移动速度50-100mm/s，切割循环圈数为150-250，对流通通道层(2)基片进行切割；

切割芯片底板(5)基片时，设定激光功率2-5W和激光移动速度50-150mm/s，切割循环圈数为60-90，对芯片底板(5)基片进行切割。

4.根据权利要求3所述的基于激光切割的微流控芯片加工方法，其特征在于：所述芯片盖板(1)及芯片底板(5)的基片材质为疏水柔性塑料材料，疏水柔性塑料材料包括聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚氨酯。

5.根据权利要求4所述的基于激光切割的微流控芯片加工方法，其特征在于：所述芯片盖板(1)的基片材质及芯片底板(5)的基片材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯。

6.根据权利要求5所述的基于激光切割的微流控芯片加工方法，其特征在于：所述步骤2中双面胶为PET双面胶，所述双面胶的厚度为5-300um。

7.根据权利要求6所述的基于激光切割的微流控芯片加工方法，其特征在于：所述双面胶为单层或者多层依次叠加。

8.根据权利要求7所述的基于激光切割的微流控芯片加工方法，其特征在于：所述步骤2中激光雕刻切割设备为紫外激光打标机(7)。

9.一种微流控芯片，其特征在于：根据权利要求1-8任一项所述的基于激光切割的微流控芯片加工方法加工制作。