[发明专利]与非型闪存Nand Flash存储管理方法与装置

说明书

本申请提供与非型闪存Nand Flash存储管理方法与装置，方法包括：响应于用户对数据管理模块的数据修改指令，将待修改数据的所在的第一Block的第一Page页读出至预设RAM中；在预设RAM中对待修改数据进行处理；将处理后的待修改数据基于第一Page页的存储位置对应写入预设的第二Block的Page页的存储位置；遍历第一Block的除第一Page页的其他Page页，依次将其他Page页的不需修改的数据读出至预设RAM中，并基于其他Page页的存储位置将不需修改的数据对应写入预设的第二Block的Page页；将第二Block的ID号替换为第一Block的ID号，重新生成新的数据存储链表。

技术领域

本发明涉及数据处理技术领域，特别涉及与非型闪存Nand Flash存储管理方法与装置。

背景技术

Flash存储器又称为闪存，为非易失存储器，是存储芯片的一种，掉电后数据不会消失，可存储大量数据；Nand Flash是Flash存储器的一种，用于大量数据的存储。

Nand Flash闪存的存储空间中，通过索引表确定每一Block的顺序，即，NandFlash的存储空间通过所述索引表被分为若干个可确定位置的Block块，每个Block块又被分割为若干个最小物理存储页(Page)页，擦除数据时是以Block为最小单位进行数据的擦除；写入数据是以最小物理存储页(Page)为最小单位进行数据写入。

现有技术对Nand Flash闪存的数据存储管理为将数据以Nand Flash最小物理存储页(Page)为单位进行连续存储，当上一个存储页存储数据后，通过链表的方式，设置后一物理存储页为下一存储位置，Nand Flash中各数据能够顺序进行存储，使得各物理块擦写次数保持基本一致，并不会出现擦写次数过多的物理块；当所有最小物理存储页(Page)全部写满，且所有的Block均被写满后，程序将最早写入数据的Block擦除后，重新对擦除后的Block进行数据的存储写入。

但是，现有技术的上述Nand Flash闪存的存储管理方法，当用户需要对最小物理存储页(Page)中的某一条数据信息进行修改时，按照Nand Flash的操作要求，需要将整个Block中的数据全部读出到RAM后，修改完对应数据后，将该Block擦除后，将数据重新依次写入到当前Block中，才可以真正完成对数据的修改；在实际的应用场景中，不存在足够的RAM空间去临时存储整个Block的数据，来实现数据的修改。

因此，目前亟需提出一种与非型闪存Nand Flash存储管理方法，以解决现有的Nand Flash闪存的存储管理方法，不存在足够的RAM空间去临时存储整个Block的数据，来实现数据的修改的技术问题。

发明内容

本申请提供了一种与非型闪存Nand Flash存储管理方法与装置，以至少解决相关技术中存在的Nand Flash闪存的存储管理方法不存在足够的RAM空间去临时存储整个Block的数据，来实现数据的修改的技术问题。

根据本申请实施例的一个方面，提供了一种与非型闪存Nand Flash存储管理方法，所述Nand Flash包括数据管理模块和映射管理模块，所述数据管理模块用于存储文件，所述映射管理模块用于存储各文件对应的数据存储链表，所述方法包括：响应于用户对数据管理模块的数据修改指令，将待修改数据的所在的第一Block的第一Page页读出至预设RAM中；在预设RAM中对所述待修改数据进行处理；将处理后的待修改数据基于所述第一Page页的存储位置对应写入预设的第二Block的Page页的存储位置；遍历所述第一Block的除第一Page页的其他Page页，依次将其他Page页的不需修改的数据读出至预设RAM中，并基于其他Page页的存储位置将所述不需修改的数据对应写入预设的第二Block的Page页；基于所述映射管理模块，将所述第二Block的ID号替换为所述第一Block的ID号，重新生成新的数据存储链表。