[发明专利]半导体发光元件及其发光装置在审
| 申请号： | 202211728098.3 | 申请日： | 2022-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN115911206A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 熊伟平;高迪;吴志伟;郭桓卲;彭钰仁;邱树添 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 装置 | ||
1.一种半导体发光元件，包括：透明衬底、透明键合层、半导体叠层；
透明键合层介于透明衬底和半导体叠层之间；
半导体叠层包括第一半导体叠层、发光层和第二半导体叠层；
所述的透明衬底具有朝向半导体叠层的第一表面，所述的透明衬底的第一表面具有不平整结构；
所述的透明键合层包括第一键合层，所述第一键合层接触所述透明衬底的第一表面，并且所述的第一键合层的折射率低于透明衬底的折射率。
2.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的透明键合层还包括第二键合层，第二键合层位于第一键合层与半导体叠层之间，并且第二键合层接触第一键合层。
3.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：第二键合层和第一键合层为相同材料。
4.根据权利要求2所述的一种半导体发光元件，其特征在于：第一键合层和第二键合层为氧化硅层。
5.根据权利要求4所述的一种半导体发光元件，其特征在于：其中第一键合层和第二键合层的厚度分别介于1~4微米。
6.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的透明衬底的第一表面的不平整结构的高度为0.1~3微米。
7.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的半导体叠层具有朝向透明衬底的第一表面；所述的半导体叠层的第一表面具有不平整结构。
8.根据权利要求7所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的第一半导体叠层的第一表面的不平整结构的高度为0.1~1微米。
9.根据权利要求7所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的透明衬底的第一表面具有的不平整结构的高度大于所述半导体叠层的第一表面具有的不平整结构的高度。
10.根据权利要求7所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的第一键合层的与第二键合层接触的表面相对于所述透明衬底的第一表面更平整。
11.根据权利要求10所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的第二键合层的与第一键合层接触的表面相对于所述的半导体层的第一表面更平整。
12.一种半导体发光元件，包括：透明衬底、中间层、透明键合层、半导体叠层；
中间层介于透明衬底和透明键合层之间；
透明键合层介于中间层和半导体叠层之间；
半导体叠层包括第一半导体叠层、发光层和第二半导体叠层；
所述的透明衬底为平片衬底，所述的中间层具有朝向半导体叠层的第一表面，所述中间层的第一表面具有不平整结构；
所述的中间层的折射率高于所述的透明键合层的折射率。
13.根据权利要求12所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的半导体叠层具有朝向透明衬底的第一表面，所述的半导体叠层的第一表面具有不平整结构。
14.根据权利要求12所述的发光元件，其特征在于：所述的透明键合层的折射率低于所述中间层的折射率。
15.根据权利要求12所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的透明键合层包括第一键合层和第二键合层，所述第一键合层接触所述中间层的第一表面，第二键合层位于第一键合层与半导体叠层的第一表面之间。
16.根据权利要求15所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的透明键合层的第一键合层和第二键合层为相同的材料。
17.一种发光装置，其特征在于：包括前述权利要求1~16之间任一项的半导体发光元件。
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