[发明专利]倒凸型结构光刻胶条的制作方法及金属图形的制作方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种倒凸型结构光刻胶条的制作方法及金属图形的制作方法。本发明提供表面具有一定厚度的负性光刻胶层的基底，对基底表面的光刻胶层进行不充足曝光，在对光刻胶层进行第一和第二显影，实现充分显影，最终形成具有倒凸型结构的光刻胶条。本发明中的光刻胶层具有倒凸型结构，在基底表面与倒凸型结构光刻胶条表面沉积金属层时，由于金属层的厚度小于底部光刻胶层的厚度，使得基底表面的金属层与顶部光刻胶层的边缘断开，且倒凸形结构与基底的接触面积更小，使得光刻胶与金属的彻底断开，保证了形成的金属图形中金属线条的尺寸，金属层也不会和光刻胶层的侧壁粘在一起，达到改善金属剥离效果的目的。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种倒凸型结构光刻胶条的制作方法及金属图形的制作方法。

背景技术

在集成电路制造过程中，需要制作一定尺寸的金属图形，其制作过程包括薄膜生长、光刻图形、图形刻蚀和金属淀积等主要工艺。其中，利用光刻工艺得到光刻图形是半导体制造过程中的关键工艺。

现有的金属图形制作方法包括两种：第一种是基底表面沉积一定厚度的金属层后，在金属层表面利用正胶光刻工艺制作图形，再用湿法腐蚀工艺，光刻胶保护的金属层保留，没有保护的金属层腐蚀脱落。这种方法的缺点是湿法腐蚀容易导致光刻胶保护下的金属层发生侧面侵蚀现象，导致实际做出的金属线条尺寸小于设计尺寸。

第二种是在基底表面利用负胶光刻工艺将光刻胶制作成矩形剖面的图形，然后沉积低于光刻胶厚度的金属层，这种方法的优点是金属线条尺寸可控，不会出现侧面侵蚀问题，缺点是金属层会和光刻胶层的侧壁粘在一起容易出现剥离不彻底问题。

以上两种方法是集成电路制造过程中常见的、普遍的制作金属图形的方法，发明更加容易剥离的光刻胶条是解决金属彻底剥离的更优方法。

发明内容

为光刻胶彻底剥离的目的，本发明提供一种倒凸型结构光刻胶条的制作方法，包括：

提供基底，所述基底表面具有一定厚度的负性光刻胶层；

对所述基底表面的负性光刻胶层进行不充足曝光；

对所述基底表面的负性光刻胶层进行第一显影；

对所述基底表面的负性光刻胶层进行第二显影，实现充分显影，形成倒凸型结构光刻胶条。

可选的，所述一定厚度的光刻胶层的厚度范围为3um-10um。

可选的，所述一定厚度的光刻胶层的厚度大于等于6μm。

可选的，所述不充足曝光对应的工艺参数包括曝光计量和焦平面，所述曝光计量和焦平面参数可调，使得曝光过程中光刻版图形透光部分光线从光刻胶层顶部传递至光刻胶层底部的过程中，光刻胶层底部缺少感光。

可选的，所述不充足曝光时曝光计量范围为500ms-1000ms，焦平面范围为0um-5um。

可选的，所述第一显影和第二显影的显影液浓度范围为2％-4％，所述第一显影和第二显影的时间范围为15s-45s。

可选的，所述倒凸型结构光刻胶条包括底部光刻胶层和顶部光刻胶层，底部光刻胶层的尺寸小于顶部光刻胶层的尺寸。

本发明还提供一种金属图形的制作方法，包括：

提供基底，所述基底表面具有一定厚度的负性光刻胶层；

对所述基底表面的负性光刻胶层进行不充足曝光；

对所述基底表面的负性光刻胶层进行第一显影；

对所述基底表面的负性光刻胶层进行第二显影，实现充分显影，形成倒凸型结构光刻胶条；

在所述基底表面和倒凸型结构光刻胶条表面沉积金属层；