[发明专利]一种具备功率监测功能的TO封装激光器及设备

说明书

本申请涉及半导体激光器技术领域，特别是涉及一种具备功率监测功能的TO封装激光器及设备。一种具备功率监测功能的TO封装激光器，包括：TO管座，TO管座用于承载TO内部器件的贴装固定，TO管座上设有TO引脚；TO管帽，TO管帽设于TO管座上，用于与TO管座组合形成容纳TO内部器件的腔室，TO管帽上开设有透光窗口；激光器芯片，激光器芯片设于TO管座上，用于将电信号转化为光信号；光敏光窗，光敏光窗设于TO管帽上，光敏光窗设于激光器芯片的前向光方向且将透光窗口覆盖，光敏光窗用于将激光器芯片产生的固定比例的前向光转化为电信号。采用本方法能够降低为了监测激光功率对激光器做出的结构调整，提高激光器的器件稳定性。

技术领域

本申请涉及半导体激光器技术领域，特别是涉及一种具备功率监测功能的TO封装激光器及设备。

背景技术

半导体激光器又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异，不同种类的工作物质产生激光的具体过程也存在差异。半导体激光器的激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦等三种形式。半导体激光器在激光测距、激光检测、激光雷达、激光打印等领域具有广泛应用，TO封装是一种常见的中低功率的半导体激光器封装形式。在激光打印和激光雷达等部分应用场景中，需要精确控制半导体激光器的功率，因此需要实时监控半导体激光器的光功率大小。

目前，为了实现半导体激光器的光功率监测，通常会在生产中，将半导体激光器芯片以及光电探测器芯片同时封装在TO管座上，光电探测器芯片通常设置在半导体激光器芯片的后向发射方向，从而监测后向光的功率大小，由于前向光功率和后向光功率的大小呈固定比例关系，因此在应用中可以通过后向光功率的变化来监控前向光功率。进一步地，在上述处理中通常需要根据光电探测器的响应度增加后向光功率，在实施中需要通过调整激光器芯片腔面镀膜的透过率来实现。相应的，还需要对激光器的工作电压、外延结构等做出调整。

然而，目前的半导体激光器的功率监测方法，存在如下的技术问题：

现有的监测方式需要对激光器芯片本身做出较多调整，增加了多项封装工序，容易导致器件的稳定性降低。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够降低为了监测激光功率对激光器做出的结构调整，提高激光器的器件稳定性的一种具备功率监测功能的TO封装激光器及设备。

第一方面，本申请提供了一种具备功率监测功能的TO封装激光器。包括：

TO管座，所述TO管座用于承载TO内部器件的贴装固定，所述TO管座上设有TO引脚；

TO管帽，所述TO管帽设于所述TO管座上，用于与所述TO管座组合形成容纳TO内部器件的腔室，所述TO管帽上开设有透光窗口；

激光器芯片，所述激光器芯片设于所述TO管座上，用于将电信号转化为光信号；

光敏光窗，所述光敏光窗设于所述TO管帽上，所述光敏光窗设于所述激光器芯片的前向光方向且将所述透光窗口覆盖，所述光敏光窗用于将所述激光器芯片产生的固定比例的前向光转化为电信号。

在其中一个实施例中，还包括：

偏压电极组，所述偏压电极组设于所述光敏光窗的两侧，所述偏压电极组用于向所述光敏光窗施加偏压。

在其中一个实施例中，所述偏压电极组包括：

第一偏压电极，所述第一偏压电极设于所述光敏光窗靠近所述TO管帽的一侧，所述第一偏压电极与所述TO管帽相连；

第二偏压电极，所述第二偏压电极设于所述光敏光窗远离所述TO管帽的一侧，所述第二偏压电极与所述TO引脚连接。

在其中一个实施例中，与所述第二偏压电极连接的所述TO引脚贯穿所述TO管座，且延伸至所述TO管座与所述TO管帽组合形成的腔室内。