[实用新型]显示面板及显示装置

说明书

本实用新型实施例公开了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括衬底基板；第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管与第二晶体管形成于衬底基板上，第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，第一有源层为多晶硅有源层；第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，第二有源层为氧化物半导体有源层；第二有源层位于第一有源层背离衬底基板的一侧；在垂直于衬底基板的方向上，第一栅极与第一有源层之间的间距为D1，第二栅极与第二有源层之间的间距为D2，其中，D1＜D2；显示面板包括像素电路和为像素电路提供驱动信号的驱动电路，其中，驱动电路包括第二晶体管，且像素电路包括第一晶体管或者驱动电路包括第一晶体管。

本申请是申请号为202023329924.6专利申请的分案申请(原申请的申请日为2020年12月30日，名称为显示面板及显示装置)。

技术领域

本实用新型实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

随着科学技术的不断发展，越来越多的具有显示功能的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们如日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。

电子设备实现显示功能的重要部件是显示面板。显示面板一般包括像素电路和为像素电路提供驱动信号的驱动电路。像素电路和驱动电路内均设置有晶体管，晶体管常使用铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)作为有源层，来减小晶体管中的漏流。然而由于铟镓锌氧化物材料对于外界环境中的氢元素、水氧含量等较为敏感，所以当像素电路和/或驱动电路中内的晶体管采用IGZO 材料作为有源层时，IGZO有源层可能会受到显示面板中的有机膜层中的氢元素以及水氧等侵蚀，影响IGZO晶体管的性能，进而对驱动电路和/或像素电路的性能产生影响。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种显示面板及显示装置，以解决现有技术中IGZO晶体管的性能受到影响，进而影响驱动电路和/或像素电路的性能的问题。

本实用新型实施例的一方面提供了一种显示面板，该显示面板包括

衬底基板；

第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管与所述第二晶体管形成于所述衬底基板上，所述第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源层为多晶硅有源层；所述第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二有源层为氧化物半导体有源层；所述第二有源层位于所述第一有源层背离所述衬底基板的一侧；

在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一栅极与所述第一有源层之间的间距为D1，所述第二栅极与所述第二有源层之间的间距为D2，其中，D1＜D2；

所述显示面板包括像素电路和为所述像素电路提供驱动信号的驱动电路，其中，所述驱动电路包括所述第二晶体管，且所述像素电路包括所述第一晶体管或者所述驱动电路包括所述第一晶体管。

本实用新型实施例的另一方面还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。

本实用新型实施例提供的显示面板包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的第一有源层包含硅，第二晶体管的第二有源层包含氧化物半导体，第二有源层位于第一有源层背离衬底基板的一侧，通过设置第一栅极与第一有源层之间的间距小于第二栅极与第二有源层之间的间距，既可以对第二有源层进行保护，防止氢元素以及水氧等侵蚀第二有源层，保证第二晶体管性能良好；同时保证第一晶体管中的载流子迁移性能，进而保证第一晶体管性能良好，如此实现提升驱动电路性能和像素电路的性能的效果。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是本实用新型实施例提供的一种显示面板的膜层结构示意图；