[实用新型]一种对管电路

说明书

本实用新型公开了一种对管电路，其包括：于同一个基底上由两组晶体管组成，每组晶体管由数目相同工艺一致的多只晶体管并联构成。两组晶体管之间无电气连接，两组晶体管之间的隔离单元由损耗结构构成。两组晶体管的每个端口都有单独的到地的双向ESD保护单元，ESD保护单元一般由二极管串构成。GND单元提供了到热沉的散热途径；绘制版图时，均匀分布多个GND单元。在版图设计时，加宽基极和发射极金属连线，靠近晶体管管脚时使用渐变传输线。整体电路在绘制版图时，完全对称，可以180度旋转。本实用新型有效地提高了电路的高频差分性能。

技术领域

本实用新型涉及一种集成电路，尤其涉及一种在同一个基底上的对管电路。

背景技术

对管电路就是将两个一模一样的晶体管制作在同一个基底上，两个晶体管的温度会相互影响，环境温度对晶体管也产生同样的影响。理论上，两个晶体管的噪声系数、特性曲线、放大倍数等都要求一致，这样在差分电路的应用中，可以在相当程度上抵消掉共模信号对差模信号的影响，抵消温度影响造成的零点漂移。除了差分电路，常见的压控振荡器(VCO)电路结构也是由一个振荡管和一个放大管组成，因此也可以用对管电路搭建VCO。

传统的对管电路在设计时，两个晶体管之间没有电气隔离，相互之间的端口间的寄生参数很多，影响电路的高频性能，如图1中极间的寄生电容：C_B1B2、C_E1B2、C_E1C2、C_C1B2。

实用新型内容

鉴于现有技术的不足，本实用新型提出了一种高性能的对管电路，两个晶体管之间由端口到地(GND)的隔离单元进行电气隔离，减少相互之间的串扰，并且GND单元提供了到地的散热途径。为了减小晶体管的密勒电容，在进行版图设计时，加宽了晶体管基极和发射极的金属宽度。并且为了提高电路的抗驻波能力，晶体管的每个端口都有到地的双向(正向、反向)ESD(Electro Static Discharge)保护单元。

本实用新型的技术方案是：

基于同一个基底上由两组晶体管T1、T2组成，每组晶体管由数目相同工艺一致的多只晶体管并联构成；

两组晶体管T1、T2之间无电气连接，两组晶体管T1、T2之间有到地GND1、GND2的隔离单元进行去耦隔离，隔离单元由损耗结构构成，如隔离单元为电阻。

两组晶体管T1、T2的每个端口B1、E1、C1、B2、E2、C2都有单独的到地的双向ESD保护单元，双向ESD保护单元为二极管串。

GND单元提供了到热沉的散热途径；绘制版图时，均匀分布多个GND单元。

在版图设计时，加宽基极(B1、B2)和发射极(E1、E2)金属连线，靠近晶体管管脚时使用渐变传输线。

整体电路在绘制版图时，完全对称，可以180度旋转，隔离单元位置不变，晶体管位置重合。

两组晶体管T1、T2用HBT的半导体制程工艺，或用BJT的半导体制程工艺，用FET的半导体制程工艺。

本实用新型的有益效果：

提出了一种高性能、高隔离度的对管电路，对管之间无电气连接，并且有隔离单元隔离，提高对称性，减少串扰和寄生参数，改善高频性能；并且改善了散热环境，适用于大功率应用。

附图说明

图1是传统的对管电路。

图2是本实用新型的结构图之一。

图3是本实用新型的结构图之二。

图4是本实用新型结构图之二的电路图。

具体实施方式

以下结合附图进一步说明本实用新型电路：