[实用新型]显示装置有效
申请号: | 202220067297.3 | 申请日: | 2022-01-12 |
公开(公告)号: | CN216749904U | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 李知嬗;金成虎;成硕济;安珍星;禹珉宇;李承炫;李旺宇 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 李子光 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底包括主显示区域和辅助显示区域,所述辅助显示区域包括部件区域和中间区域;
第一辅助显示元件,所述第一辅助显示元件排列在所述部件区域上;
第一辅助像素电路、第二辅助像素电路和第二辅助显示元件,所述第二辅助显示元件连接到所述第二辅助像素电路,其中,所述第一辅助像素电路、所述第二辅助像素电路和所述第二辅助显示元件排列在所述中间区域上;以及
连接线,所述连接线将所述第一辅助显示元件连接到所述第一辅助像素电路,
其中,所述辅助显示区域包括:
第一区域,所述第一区域包括所述部件区域的中心部分和所述中间区域的一部分;以及
第二区域,所述第二区域位于所述第一区域的一侧处,所述第二区域包括所述部件区域的一部分和所述中间区域的一部分,并且
所述连接线包括分别排列在所述第一区域和所述第二区域上的第一连接线和第二连接线,其中,所述第一连接线在第一方向上延伸,并且所述第二连接线在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述辅助显示区域还包括位于所述第一区域的另一侧处的第三区域,所述第三区域与所述第二区域对称地排列,并且包括所述部件区域的一部分和所述中间区域的一部分,以及
所述连接线还包括排列在所述第三区域上的第三连接线,其中,所述第三连接线在所述第二方向上延伸。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述辅助显示区域还包括第四区域,所述第四区域与所述主显示区域、所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中的每一个接触并且包括所述部件区域的一部分和所述中间区域的一部分,以及
所述连接线还包括排列在所述第四区域上并且在所述第二方向上延伸的第四连接线,其中,所述第一连接线、所述第二连接线、所述第三连接线和所述第四连接线中的每一个包括透射导电材料。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于,所述第四区域在所述第一方向上具有第一宽度,并且所述部件区域在所述第一方向上具有第二宽度,其中,所述第一宽度为所述第二宽度的最大值的25%。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,布置在所述第四区域上的所述第四连接线基于穿过所述第四区域的中心的虚拟中心线对称地排列。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一辅助显示元件包括第一辅助像素电极,以及
所述第一辅助像素电极具有椭圆形形状,其中,所述第一辅助像素电极包括位于所述第一辅助像素电极的一侧处的第一接触部分,以及
所述第一接触部分电连接到所述第一辅助像素电路并且与所述第一辅助像素电极重叠。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第二辅助显示元件包括第二辅助像素电极,以及
所述第二辅助像素电极具有圆形形状,其中,所述第二辅助像素电极包括在一方向上延伸的延伸部分,以及
所述延伸部分包括电连接到所述第二辅助像素电路的第二接触部分。
8.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,还包括排列成与所述第一区域中的所述中间区域的至少一部分对应的第一导电线和第二导电线,
其中,所述第一连接线连接到所述第一导电线或所述第二导电线,
其中,所述第一导电线和所述第二导电线中的每一个包括反射导电材料,以及
其中,所述第一导电线和所述第二导电线排列在彼此不同的层并且在平面上交替地排列。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述衬底还包括围绕所述主显示区域的外围区域,
所述显示装置还包括:
第三辅助像素电路,所述第三辅助像素电路排列在与所述辅助显示区域相邻的所述外围区域上;以及
第三辅助显示元件,所述第三辅助显示元件排列在所述部件区域上并且电连接到所述第三辅助像素电路。
10.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于,还包括主像素电路和主显示元件,所述主显示元件连接到所述主像素电路,其中,所述主像素电路和所述主显示元件中的每一个排列在所述主显示区域上,并且
所述第一区域与所述第二区域、所述第三区域、所述第四区域和所述主显示区域接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的