[实用新型]一种金属嵌入一体注塑绝缘栅双极型晶体管封装外壳有效

专利信息
申请号: 202220071160.5 申请日: 2022-01-12
公开(公告)号: CN216488071U 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 曲中敏 申请(专利权)人: 青岛琉辉精密电子配件有限公司
主分类号: H01L29/739 分类号: H01L29/739;H01L23/31
代理公司: 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 代理人: 柳威
地址: 266000 山东省青岛市城*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属 嵌入 一体 注塑 绝缘 栅双极型 晶体管 封装 外壳
【说明书】:

本实用新型公开了一种金属嵌入一体注塑绝缘栅双极型晶体管封装外壳,包括外壳、底板,所述外壳的两侧壁下端均固定设置有固定板,所述底板的顶端开设有密封槽,所述密封槽的内壁两侧开设两组卡槽,所述外壳的两侧壁下端固定设置有两组弹片,所述外壳的底端固定设置有密封套,所述底板的底端固定设置多组引脚,所述底板的顶端两侧开设两组第二螺孔,所述固定板的顶端开设有第一螺孔,所述外壳和底板之间通过螺栓螺纹连接,所述外壳的内部设置有填块,所述外壳的内壁设置有加强层。本实用新型公开了一种金属嵌入一体注塑绝缘栅双极型晶体管封装,本装置安装方便,且外壳结构强度大,使用寿命长。

技术领域

本实用新型涉及晶体管技术领域,尤其涉及一种金属嵌入一体注塑绝缘栅双极型晶体管封装外壳。

背景技术

绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也是三端器件:栅极,集电极和发射极。

现有专利(CN215299232U)中提出一种功率晶体管的封装结构,包括主体,所述主体左侧设置有固定机构一,所述主体右侧设置有固定机构二,所述固定块左侧设置有卡块,所述卡块前端上下两侧设置有限位块一,所述主体右端开设卡槽,所述卡槽右侧设置有与卡槽同长的限位块二,所述主体内部通过夹紧固定连接有外壳,所述外壳内部通过焊接固定连接有绝缘层,所述绝缘层内部设置有集成电路,当需要固定晶体管时,将主体的卡槽向固定块内侧的卡块推动,当限位块一卡住时,晶体管就被固定好了。该机构可以有效的固定晶体管,且没有导电元件,不会因为需要通过螺钉来进行固定,使得集成电路有一定的安全隐患的问题,但是其主体的结构强度不够,且加工繁琐,因此我们需要一种金属嵌入一体注塑绝缘栅双极型晶体管封装外壳。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种金属嵌入一体注塑绝缘栅双极型晶体管封装外壳。

为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:一种金属嵌入一体注塑绝缘栅双极型晶体管封装,包括外壳、底板,所述外壳的两侧壁下端均固定设置有固定板,所述底板的顶端开设有密封槽,所述密封槽的内壁两侧开设两组卡槽,所述外壳的两侧壁下端固定设置有两组弹片,所述外壳的底端固定设置有密封套;

所述底板的底端固定设置多组引脚,所述底板的顶端两侧开设两组第二螺孔,所述固定板的顶端开设有第一螺孔,所述外壳和底板之间通过螺栓螺纹连接,所述外壳的内部设置有填块,所述外壳的内壁设置有加强层。

作为上述技术方案的进一步描述:

两组所述弹片卡接密封槽的卡槽的内部。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述螺栓螺纹连接第一螺孔和第二螺孔的内部。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述外壳的外壁上端设置有防滑纹。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述密封套为橡胶材质。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述加强层为多组铝丝编织而成。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述填块为二氧化硅材质。

作为上述技术方案的进一步描述:

所述弹片为弹性钢材质。

本实用新型具有如下有益效果:

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