[实用新型]基板处理装置

说明书

本实用新型的实施例的基板处理装置包括：处理空间，用于收纳待处理基板；天线收纳空间，用于收纳天线，所述天线被配置成与所述待处理基板对置；多个窗，用于将所述处理空间与所述天线收纳空间分隔；以及窗支撑框架，用于支撑所述多个窗，其中，所述多个窗包括：多个第一窗，呈长方形，在所述窗支撑框架的中端被配置成2×2排列；多个第二窗，呈长方形，位于所述窗支撑框架的前端；以及多个第三窗，呈长方形，位于所述窗支撑框架的后端，其中，所述第二窗与所述第三窗尺寸相同，所述第一窗的长边与短边之比大于所述第二窗以及所述第三窗的长边与短边之比。

技术领域

本实用新型涉及一种基板处理装置，具体涉及利用电感耦合等离子体的基板处理装置。

背景技术

利用等离子体来进行化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)、蚀刻(Etching)等基板处理的装置常采用向包括天线的装置施加高频电力以在天线周围形成感应电场从而产生等离子体的方式。

对于利用感应电场的等离子体处理装置，使用用于产生感应电场的天线、用于保护天线免受等离子体影响的窗以及用于在处理装置内支撑窗的窗支撑框架是必需的。

随着显示装置的大型化趋势，为了处理大面积基板，等离子体处理装置也在变大，窗也被分隔为多个。

为了支撑多个窗，窗支撑框架具有分隔为多个区域的结构，以支撑各个窗，但是分隔结构会对等离子体的均匀度产生较大影响。这是因为窗支撑框架会切割感应电场的一部分，而且由在天线中流动的高频电流感应形成的感应电流会沿窗支撑框架流动。

尤其是，当窗支撑框架内形成有闭环的分隔结构时，会产生沿闭环环形流动的感应电流，这会对等离子体的均匀度产生不良影响。

实用新型内容

技术问题

本实用新型的目的在于，提供一种能够更加均匀地生成等离子体的基板处理装置。

本实用新型的技术问题不限于上述技术问题，本领域技术人员能够从以下记载中明确地理解未提及的其他的技术问题。

技术方案

为了解决上述技术问题，本实用新型的实施例的基板处理装置包括：处理空间，用于收纳待处理基板；天线收纳空间，用于收纳天线，所述天线被配置成与所述待处理基板对置；多个窗，用于将所述处理空间与所述天线收纳空间分隔；以及窗支撑框架，用于支撑所述多个窗，其中，所述多个窗包括：多个第一窗，呈长方形，在所述窗支撑框架的中端被配置成2×2排列；多个第二窗，呈长方形，位于所述窗支撑框架的前端；以及多个第三窗，呈长方形，位于所述窗支撑框架的后端，其中，所述第二窗与所述第三窗尺寸相同，所述第一窗的长边与短边的长度之比大于所述第二窗以及所述第三窗的长边与短边的长度之比。

所述第一窗的长边与短边的长度之比可以是4以上。

所述第二窗和第三窗的长边与短边的长度之比可以是1.5以上。

所述第一窗的长边可与所述第二窗和第三窗的短边平行。

所述第一窗的长边可与所述基板进入所述处理空间的方向平行。

所述多个第二窗可沿所述多个第一窗的长边被配置成1×5排列。

所述多个第三窗可沿所述多个第一窗的长边被配置成1×5排列。

所述窗支撑框架可包括：第一支撑部，用于支撑相邻的所述多个第一窗的短边侧；第二支撑部，用于支撑相邻的所述多个第二窗；以及第三支撑部，用于支撑相邻的所述多个第三窗，其中，所述第一支撑部不与所述第二支撑部和所述第三支撑部排成一列。

所述第二支撑部平行于所述第一支撑部，用于支撑相邻的所述多个第二窗的长边侧，所述第三支撑部平行于所述第一支撑部，用于支撑相邻的所述多个第三窗的长边侧。