[实用新型]基板处理装置有效

专利信息
申请号: 202220093625.7 申请日: 2022-01-14
公开(公告)号: CN217280680U 公开(公告)日: 2022-08-23
发明(设计)人: 朴世文;金学庆 申请(专利权)人: INVENIA有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 姜虎;陈英俊
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 处理 装置
【说明书】:

实用新型涉及一种基板处理装置。本实用新型的实施例的基板处理装置包括:腔室,包括处理空间和天线收纳空间,所述处理空间用于收纳待处理基板,所述天线收纳空间用于收纳天线,所述天线被配置成与所述待处理基板对置;多个窗,位于所述腔室内,用于分隔所述处理空间和所述天线收纳空间;窗支撑框架,用于支撑所述多个窗;以及加热板,位于所述多个窗的上表面,用于加热所述多个窗,其中,所述窗支撑框架包括朝向所述窗凸出的支撑凸台,以支撑所述窗,所述加热板设置为与所述支撑凸台重叠。本实用新型不会显著影响用于产生等离子体的感应电场,同时能够减少副产物附着在窗上的现象。

技术领域

本实用新型涉及一种基板处理装置,更具体涉及利用电感耦合等离子体的基板处理装置。

背景技术

在利用等离子体来进行化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)、蚀刻(Etching)等基板处理的装置中,常采用向包括天线的装置施加高频电力以在天线周围形成感应电场从而产生等离子体的方式。

对于利用感应电场的等离子体处理装置,必须使用用于产生感应电场的天线、用于保护天线免受等离子体影响的窗。

但是,利用等离子体进行基板处理的过程中产生的副产物在工艺中附着在腔室内温度相对较低的窗上,导致更换窗的周期变短,或需要维护/修理以去除附着在窗上的副产物。

为此,虽然存在利用用于加热窗的加热器来最小化副产物附着在窗上的技术,但是利用电流的加热器由于随着加热器的运行所产生的电磁波而等离子体受到影响,从而可能改变等离子体分布或降低等离子体分布的均匀性。

实用新型内容

技术问题

本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种基板处理装置,其既不会显著影响用于产生等离子体的感应电场,同时能够减少副产物附着在窗上的现象。

本实用新型的技术问题不限于上述提及的技术问题,本领域技术人员能够从以下记载中明确地理解未提及的其他技术问题。

技术方案

用于解决上述技术问题的本实用新型的实施例的基板处理装置包括:腔室,包括处理空间和天线收纳空间,所述处理空间用于收纳待处理基板,所述天线收纳空间用于收纳天线,所述天线被配置成与所述待处理基板对置;多个窗,位于所述腔室内,用于分隔所述处理空间和所述天线收纳空间;窗支撑框架,用于支撑所述多个窗;以及加热板,位于所述多个窗的上表面,用于加热所述多个窗,其中,所述窗支撑框架包括朝向所述窗凸出的支撑凸台,以支撑所述窗,所述加热板设置为与所述支撑凸台重叠。

所述加热板可沿所述窗的边缘配置成环形。

可进一步包括位于所述支撑凸台和所述窗之间的阻尼部件。

所述阻尼部件可用于向所述支撑凸台和所述窗之间提供热阻尼和物理阻尼。

所述阻尼部件可包括聚四氟乙烯层。

可进一步包括位于所述加热板的上表面的电磁屏蔽层,以防止所述加热板被流经所述天线的高频电流感应加热。

所述电磁屏蔽层可包括铁氧体。

所述窗支撑框架可支撑以2×3排列的具有相同尺寸的六个窗。

所述天线可包括:中心天线;中间天线,配置成围绕所述中心天线;以及外缘天线,配置成围绕所述中间天线,所述中心天线可配置在所述六个窗中位于中心的两个中间窗的上部。

所述中间天线和所述外缘天线可配置在所述六个窗的上部。

本实用新型的其他具体的事项记载于详细说明以及多个附图中。

实用新型效果

根据本实用新型的多个实施例,至少具有如下效果。

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