[实用新型]基于二硫化钼的宽带可调太赫兹吸波器

权利要求书

1.基于二硫化钼的宽带可调太赫兹吸波器，其特征在于：所述吸波器从顶部至底部依次设有二硫化钼阵列层（1）、中间介质层（2）、金属层（3）；所述二硫化钼阵列层以按规则图形周期性排列的多个二硫化钼单元组成，在高载流子浓度下呈现二硫化钼的类金属性质，具备对预设频段的入射太赫兹波的高吸收率。

2.根据权利要求1所述的基于二硫化钼的宽带可调太赫兹吸波器，其特征在于：所述多个二硫化钼单元行列式地贴覆于中间介质层上，排列的周期为p_x= p_y= 60 μm，所述二硫化钼单元包括圆环图案的二硫化钼子单元和位于圆环图案中部的十字叉图案的二硫化钼子单元，所述圆环图案的二硫化钼子单元、十字叉图案的二硫化钼子单元位于同一平面内，通过几何中心对齐。

3.根据权利要求2所述的基于二硫化钼的宽带可调太赫兹吸波器，其特征在于：所述圆环图案的外径为r₁ = 20 μm，内径为r₂ = 16 μm；所述十字叉图案的长边为c₁ = 30 μm，短边为c₂ = 2 μm。

4.根据权利要求2所述的基于二硫化钼的宽带可调太赫兹吸波器，其特征在于：二硫化钼阵列层为单层二硫化钼结构，其高度为单层二硫化钼结构的厚度，约为0.65 nm。

5.根据权利要求1所述的基于二硫化钼的宽带可调太赫兹吸波器，其特征在于：所述中间介质层为TOPAS材料的环烯烃类共聚物，其介电常数为2.35，高度为h = 26 μm。

6.根据权利要求1所述的基于二硫化钼的宽带可调太赫兹吸波器，其特征在于：所述金属层为金元素，其电导率为5.9×10⁷ S/m，厚度为0.2 μm，所述金属层符合衬底的趋肤深度要求，可阻止太赫兹波透过。

7.根据权利要求1所述的基于二硫化钼的宽带可调太赫兹吸波器，其特征在于：所述太赫兹吸波器的完美工作频段为吸收率大于90%的频段，范围是1.2~2.67 THz, 相对吸收带宽为76.0% 。