[实用新型]一种消光光阑、光学生物识别模组及电子设备

说明书

本实用新型公开了一种消光光阑、光学生物识别模组及电子设备，包括芯片基体，该芯片基体上设置有由消光光阑单元形成的消光光阑阵列，消光光阑单元为无机膜。本实用新型的光阑结构相比常规光阑结构，光阑表面具有更低反射率，且具有更强的可见光及红外截止率，从而降低杂光对设备的干扰。

技术领域

本实用新型属于芯片领域，具体涉及一种消光光阑、光学生物识别模组和电子设备。

背景技术

指纹识别器件光路结构的消光光阑用于阻挡可见光通过，目前消光光阑的制作工艺如图1，包括以下步骤：

S01:取芯片基体1；

S02:涂布黑色光刻胶覆盖芯片基体1；

S03:光刻形成如图2的黑色光刻胶组成的消光光阑2。

图2中，消光光阑2形成在芯片基体1上。

图1的工艺由于有机材料的限制，形成的消光光阑2图形上下表面光反射率较高，对设备性能造成一定干扰，如图3和图4。

实用新型内容

为了解决上述缺陷，本实用新型提供一种消光光阑，形成的消光光阑阵列相比常规光阑结构，光阑表面具有更低反射率，且具有更强的可见光及红外截止率，从而降低杂光对设备的干扰。

一种消光光阑，包括芯片基体，该芯片基体上设置有由消光光阑单元形成的消光光阑阵列，消光光阑单元为无机膜。

可选地，所述含金属元素的膜包括第一减反薄膜、吸光薄膜、第二减反薄膜，吸光薄膜位于第一减反薄膜和第二减反薄膜之间。

可选地，所述第一减反薄膜和第二减反薄膜为氧化膜，吸光薄膜为金属膜。

可选地，所述金属膜为钛膜。

可选地，所述第一减反薄膜为氧化钛膜或氧化硅膜，第二减反薄膜为氧化钛膜或氧化硅膜。

可选地，所述第一减反薄膜为氧化钛和氧化硅交替形成的膜，第二减反薄膜为氧化钛和氧化硅交替形成的膜。

本实用新型还提供一种光学生物识别模组。

一种光学生物识别模组，包括微透镜单元形成的微透镜阵列和消光光阑所述消光光阑为上述的消光光阑。

本实用新型还提供一种电子设备。

一种电子设备，所述电子设备包括上述的光学生物识别模组。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是背景技术工艺流程示意图；

图2是背景技术工艺形成的结构示意图；

图3是背景技术消光光阑的透射光谱曲线图；

图4是背景技术消光光阑的反射光谱曲线图；

图5是实施例1工艺流程示意图；

图6是实施例1芯片基体示意图；

图7是实施例1的S02步骤形成的示意图；

图8是实施例1的S03步骤形成的示意图；

图9是实施例1的S04步骤形成的示意图；

图10是本申请一光学生物识别模组结构示意图；

图11是实施例2芯片基体示意图；