[实用新型]基于NMOS的低功耗迟滞欠压保护电路

说明书

本实用新型公开了基于NMOS的低功耗迟滞欠压保护电路，涉及迟滞欠压保护技术领域。本实用新型包括电池电源输出VCC、电压上限检测电路、电压下限检测电路、开关控制电路和电源输出使能POWER_EN；电压上限检测电路包括稳压二极管D1和电阻R1，稳压二极管D1与电阻R1串联在电池电源输出和接地端之间；开关控制电路包括NMOS管Q1、Q2，NMOS管Q1的漏极接电源输出使能POWER_EN，栅极接NMOS管Q2的漏极；电压下限检测电路包括串联的电阻R3和R5，NMOS管Q2的栅极取电阻R5上的电压，且NMOS管Q2的栅极接在电阻R3和R5之间。本实用新型通过能够根据不同的场景选择适合的参数从而实现上下限电压可调的低功耗迟滞欠压保护电路，并通过使用压控器件NMOS管，从而降低整个电路的功耗。

技术领域

本实用新型属于迟滞欠压保护技术领域，特别是涉及基于NMOS的低功耗迟滞欠压保护电路。

背景技术

目前市面上存在很多欠压保护电路，比如可控硅和比较器组合的迟滞欠压保护电路，比如多个运算放大器组成的迟滞欠压保护电路，比如专门的欠压保护芯片等等。迟滞欠压保护电路的原理就是在电路中设定有两个电压阈值，当电源输出端的电压低于第一电压阈值时关闭输出，当电源输出端的电压高于第二电压阈值时才打开输出，这样可以避免电路频繁地关断或打开，当电池低电量时会频繁地打开关断，这样会降低电池寿命，影响整机性能。但实现上述功能的芯片或者电路要么电路相对复杂，要么功能不满足很多应用场景。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供基于NMOS的低功耗迟滞欠压保护电路，解决现有的迟滞欠压保护相对复杂或成本较高，影响产品的使用寿命的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的：

本实用新型为基于NMOS的低功耗迟滞欠压保护电路，包括：

电池电源输出VCC、电压上限检测电路、电压下限检测电路、开关控制电路和电源输出使能POWER_EN；

所述电压上限检测电路包括稳压二极管D1和电阻R1，稳压二极管D1与电阻R1串联在电池电源输出和接地端之间；用于检测电池电源输出VCC输出的电压值上限；

所述开关控制电路包括两个NMOS管Q1、Q2，NMOS管Q1的漏极接电源输出使能POWER_EN，栅极接NMOS管Q2的漏极，且两个NMOS管Q1、Q2的源极均接地；两个NMOS管与电压上限检测电路、电压下限检测电路构成一个完整的能够控制电源输出使能POWER_EN的输出；

所述电压下限检测电路包括电阻R2、R3、R4和R5，NMOS管Q1的漏接通过电阻R4接电池电源输出VCC，NMOS管Q2的漏接通过电阻R2接电池电源输出VCC，电阻R3和R5串联后一端接在稳压二极管D1和电阻R1之间，另一端接电源输出使能POWER_EN，且NMOS管Q2的栅极接在电阻R3和R5之间；电压下限检测电路主要是通过设置各个电阻的阻值，为开关控制电路提供控制下限阈值；

进一步地，所述稳压二极管D1包括正极和负极，正极与电阻R1连接，负极与电池电源输出VCC连接。

本实用新型具有以下有益效果：

1、本实用新型通过使用很少的器件，能够根据不同的场景选择适合的参数从而实现上下限电压可调的低功耗迟滞欠压保护电路，并通过使用压控器件NMOS管，从而降低整个电路的功耗。

2、本实用新型的低功耗迟滞欠压保护电路的结构简单，可靠性强，延长了产品的使用寿命，便于推广。

当然，实施本实用新型的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明