[实用新型]一种太赫兹强度调谐器件及太赫兹强度调谐装置

权利要求书

1.一种太赫兹强度调谐器件，其特征在于，包括基底、可以在外加光场作用下改变内部光声载流子密度和迁移率的半金属材料层和具有开口的金属谐振环，所述半金属材料层设置于所述基底，所述半金属材料层覆盖于所述基底的正面，所述半金属材料层的外形与所述基底的外形相同，所述金属谐振环设置于所述半金属材料层；所述金属谐振环具有中心点，所述开口一端点与所述中心点的连线为第一连线，所述开口另一端点与所述中心点的连线为第二连线，所述第一连线、第二连线之间的夹角不大于90度。

2.如权利要求1所述的一种太赫兹强度调谐器件，其特征在于，所述半金属材料层为二碲化钨层、二碲化钼层或者二碲化铂层，所述二碲化钨、二碲化钼或者二碲化铂层的厚度为100nm-1μm。

3.如权利要求1所述的一种太赫兹强度调谐器件，其特征在于，所述金属谐振环呈圆弧形，且所述开口对应的圆心角不大于90度。

4.如权利要求1所述的一种太赫兹强度调谐器件，其特征在于，所述金属谐振环的材料为金、铂、钯或者铜。

5.如权利要求1所述的一种太赫兹强度调谐器件，其特征在于，所述基底为石英衬底、金刚石衬底、碳化硅衬底、氮化硅衬底、氮化镓衬底或者高阻硅、锗衬底。

6.如权利要求2所述的一种太赫兹强度调谐器件，其特征在于，所述半金属材料层通过磁溅射、分子束外延或者物理气相沉积法设置于所述基底的至少一面上；所述金属谐振环通过具有设定形状开孔的掩模版蒸镀于所述半金属材料层上。

7.如权利要求1所述的一种太赫兹强度调谐器件，其特征在于，所述谐振环为亚波长结构。

8.一种太赫兹强度调谐装置，其特征在于，包括如权利要求1至7中任一项所述的一种太赫兹强度调谐器件，还包括用于产生外加光场的光源。

9.如权利要求8所述的一种太赫兹强度调谐装置，其特征在于，所述光源为连续光源，所述光源发射光的粒子能量大于所述半金属材料的带隙值；所述连续光源的输出光功率密度范围为100-1000mW/cm²。