[实用新型]晶体管型光电探测器

权利要求书

1.一种晶体管型光电探测器，其特征在于，包括：

第一电极；

第二电极，所述第二电极与所述第一电极间隔开；

沟道层，所述沟道层至少设置在所述第一电极与所述第二电极之间；

光敏层，所述光敏层设计为p-i-n异质结结构，所述光敏层的材料由需要探测的波段所决定；以及

介质层，所述介质层设置所述沟道层与所述光敏层之间。

2.如权利要求1所述的晶体管型光电探测器，其特征在于，所述介质层用于将所述光敏层的内建电场的电场信号变化以电容耦合方式作用至所述沟道层。

3.如权利要求1所述的晶体管型光电探测器，其特征在于，所述介质层为高介电常数介质层。

4.如权利要求1至3中任一项所述的晶体管型光电探测器，其特征在于，还包括：栅极及栅绝缘层，所述栅绝缘层配置在所述沟道层与所述栅极之间。

5.如权利要求4所述的晶体管型光电探测器，其特征在于，

所述晶体管型光电探测器配置为全局底栅结构，所述全局底栅结构中的基底为掺杂的基底并且作为所述栅极；或者

所述晶体管型光电探测器配置为局部底栅结构，其中所述局部底栅结构包括基底，所述栅极形成于该基底中。

6.如权利要求4所述的晶体管型光电探测器，其特征在于，

所述晶体管型光电探测器配置为顶栅结构，在所述顶栅结构包括基底，所述基底为透明基底且设置在所述光敏层之下，所述栅绝缘层设置在所述沟道层之上。

7.如权利要求1至3中任一项所述的晶体管型光电探测器，其特征在于，所述光敏层的外侧设计有功能层，所述功能层为滤光层、减反膜和封装层中的至少一种。

8.如权利要求1至3中任一项所述的晶体管型光电探测器，其特征在于，所述光敏层的p-i-n异质结结构中的p-i结与i-n之间设计有功能层，所述功能层用于实现能带匹配、或提高机械和电学稳定性。

9.如权利要求6所述的晶体管型光电探测器，其特征在于，

所述基底与所述光敏层之间设计有第一功能层，所述第一功能层为滤光层、减反膜和钝化层中的至少一种；和/或

所述光敏层与所述介质层之间设计有第二功能层，所述第二功能层用于调节所述晶体管型光电探测器的阈值电压。

10.如权利要求1至3中任一项所述的晶体管型光电探测器，其特征在于，所述介质层为由高介电常数材料制成的单层介质层或者由不同高介电常数材料制成的两层以上介质层。

11.一种晶体管型光电探测器，其特征在于，包括：

第一电极；

第二电极，所述第二电极与所述第一电极间隔开；

碳纳米管沟道层，所述碳纳米管沟道层至少设置在所述第一电极与所述第二电极之间；

光敏层，所述光敏层设计为p-i-n异质结、p-n反型异质结、n-n同型异质结、p-p同型异质结、n-p-n双异质结、p-n-p双异质结和肖特基结中的一种，所述光敏层的材料由需要探测的波段所决定；以及

介质层，所述介质层设置所述碳纳米管沟道层与所述光敏层之间。

12.如权利要求11所述的晶体管型光电探测器，其特征在于，所述介质层用于将所述光敏层的内建电场的电场信号变化以电容耦合方式作用至所述碳纳米管沟道层。

13.如权利要求11所述的晶体管型光电探测器，其特征在于，所述介质层为高介电常数介质层。

14.如权利要求11至13中任一项所述的晶体管型光电探测器，其特征在于，还包括：栅极及栅绝缘层，所述栅绝缘层配置在所述碳纳米管沟道层与所述栅极之间。