[实用新型]一种动态可调保护值的欠压保护电路

权利要求书

1.一种动态可调保护值的欠压保护电路，其特征在于，包括处理模块、开关控制电路、输入电源POWER_IN以及系统电源VSYS；

所述处理模块包括运算处理器U1，运算处理器U1包括OFF针脚和ADC_IN13针脚；

所述开关控制电路包括开关管Q1、MOS管Q2、三极管Q3、三端稳压管U2以及稳压二极管D1；开关管Q1的S极与输入电源POWER_IN连接，D极与系统电源VSYS连接，G极与输入电源POWER_IN以及MOS管Q2的S极连接；MOS管Q2的G极与接地端连接，D极与输入电源POWER_IN以及接地端连接；三端稳压管U2的A极与接地端连接，K极与开关管Q1的G极连接，R极与输入电源POWER_IN连接；三极管Q3的集电极与MOS管Q2的G极连接，基极与运算处理器U1的OFF针脚连接，发射极接地。

2.根据权利要求1所述的一种动态可调保护值的欠压保护电路，其特征在于，动态可调保护值的欠压保护电路还包括电压检测电路；

所述电压检测电路包括电阻R11、R12、电容C3以及二极管D2；二极管D2的正极与运算处理器U1的ADC_IN13针脚连接，正极还通过电容C3接地，负极与VMCU端连接；电阻R11和电阻R12串联在输入电源POWER_IN和接地端之间，运算处理器U1的ADC_IN13针脚连接在电阻R11和电阻R12之间。

3.根据权利要求1所述的一种动态可调保护值的欠压保护电路，其特征在于，所述开关控制电路还包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电容C1以及电容C2；

所述电阻R1设置在三极管Q3的基极和运算处理器U1的OFF针脚之间，电阻R2设置在三极管Q3的基极和接地端之间；电容C1设置在MOS管Q2的G极和接地端之间，电阻R3并联在电容C1两端；电阻R4设置在MOS管Q2的G极和系统电源VSYS之间，电阻R5设置在开关管Q1的G极和MOS管Q2的S极之间，电阻R6设置在开关管Q1的G极与三端稳压管U2的K极之间；电阻R7和电容C2设置在开关管Q1的G极与输入电源POWER_IN之间，电阻R8、电阻R9以及电阻R10依次串联设置在MOS管Q2的D极与输入电源POWER_IN之间；三端稳压管U2的R极通过电阻R9以及电阻R10与输入电源POWER_IN连接；稳压二极管D1设置在三端稳压管U2的R极和接地端之间。

4.根据权利要求1所述的一种动态可调保护值的欠压保护电路，其特征在于，所述运算处理器U1的型号为STM32F103RCT6。

5.根据权利要求1所述的一种动态可调保护值的欠压保护电路,其特征在于，所述三端稳压管U2的型号为RS431A。

6.根据权利要求1所述的一种动态可调保护值的欠压保护电路，其特征在于，所述开关管Q1的型号为T0252。

7.根据权利要求1所述的一种动态可调保护值的欠压保护电路，其特征在于，所述MOS管Q2的型号为2N7002。

8.根据权利要求1所述的一种动态可调保护值的欠压保护电路，其特征在于，所述三极管Q3的型号为BC846B。

9.根据权利要求1所述的一种动态可调保护值的欠压保护电路，其特征在于，所述稳压二极管D1的型号为BZT52C3V0。

10.根据权利要求2所述的一种动态可调保护值的欠压保护电路，其特征在于，所述二极管D2的型号为1N4148。