[实用新型]一种新型的半导体二极管有效

专利信息
申请号: 202220313642.7 申请日: 2022-02-16
公开(公告)号: CN216793717U 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 张鹏 申请(专利权)人: 深圳市全业电子有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/64;H01L33/58
代理公司: 深圳市鼎圣霏凡专利代理事务所(普通合伙) 44759 代理人: 徐晶
地址: 518000 广东省深圳市龙华新区龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 半导体 二极管
【说明书】:

本实用新型涉及半导体二极管技术领域,且公开了一种新型的半导体二极管,包括二极管机构、散热机构、减震机构和加强机构,所述散热机构位于二极管机构的外端,所述减震机构位于二极管机构的外端,所述加强机构位于二极管机构的外端,所述二极管机构包括透镜、底座、阳极柱头、阴极柱头、反射碗、半导体芯片、阳极管和阴极管,所述底座固定安装在透镜的下端,所述阳极柱头固定安装在透镜内部的右侧,所述阴极柱头固定安装在阳极柱头的左侧。该新型的半导体二极管,通过设置第一散热夹套和第二散热夹套,可以打开进液阀门,通过进液管道向第一散热夹套和第二散热夹套内部注入冷却水,从而对本装置进行降温散热,以延长装置使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及半导体二极管技术领域,具体为一种新型的半导体二极管。

背景技术

半导体二极管是指利用半导体特性制造的两端电子器件,最常见的半导体二极管是PN结型二极管和金属半导体接触二极管。

在公开号为CN213692063U的中国专利中,公开了一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管,解决了现有的低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管由于在正电极和负电极的外部没有设有紧固件导致会出现在安装使用的过程中的稳定性变低,以此不能保证半导体二极管的性能的问题,在该专利中,该二极管自身不具备散热降温的结构,因此不能对半导体二极管快速散热,从而延长半导体二极管的寿命,且该半导体二极管不具备缓冲减震的作用,因此在受到冲击时很容易损坏。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

本实用新型的目的在于提供一种新型的半导体二极管,以解决上述背景技术中提出在公开号为CN213692063U的中国专利中,公开了一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管,解决了现有的低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管由于在正电极和负电极的外部没有设有紧固件导致会出现在安装使用的过程中的稳定性变低,以此不能保证半导体二极管的性能的问题,在该专利中,该二极管自身不具备散热降温的结构,因此不能对半导体二极管快速散热,从而延长半导体二极管的寿命,且该半导体二极管不具备缓冲减震的作用,因此在受到冲击时很容易损坏的问题。

(二)技术方案

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种新型的半导体二极管,包括二极管机构、散热机构、减震机构和加强机构,所述散热机构位于二极管机构的外端,所述减震机构位于二极管机构的外端,所述加强机构位于二极管机构的外端,所述二极管机构包括透镜、底座、阳极柱头、阴极柱头、反射碗、半导体芯片、阳极管和阴极管,所述底座固定安装在透镜的下端,所述阳极柱头固定安装在透镜内部的右侧,所述阴极柱头固定安装在阳极柱头的左侧,所述反射碗设置在阴极柱头的上端,所述半导体芯片固定安装在反射碗的底端,所述阳极管固定安装在阳极柱头的下端,所述阴极管固定安装在阴极柱头的下端。

优选的,所述散热机构包括第一散热夹套、第二散热夹套、进液管道、进液阀门、出液管道和出液阀门,所述第一散热夹套固定安装在底座的内部,所述第二散热夹套固定安装在阳极管、阴极管的外端,所述第一散热夹套与第二散热夹套相连通,通过设置第一散热夹套和第二散热夹套,可以通过向两个夹套内部注入冷水的方式来达到对本装置散热的效果。

优选的,所述进液管道固定连通在底座上端的后侧,所述进液管道与第一散热夹套相连通,所述进液阀门安装在进液管道的外端,通过设置进液管道,可以打开进液阀门,向第一散热夹套和第二散热夹套内部注入冷却水。

优选的,所述出液管道固定连通在第二散热夹套的下端,所述出液阀门安装在出液管道的外端,所述出液管道、出液阀门呈对称分布,在本装置的温度下降之后,可以打开出液阀门,将夹套内的水排出。

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