[实用新型]提高测试效率的半导体器件功率循环测试电路

权利要求书

1.一种提高测试效率的半导体器件功率循环测试电路，包括用于对若干串接的待测半导体器件样品进行所需功率循环测试的功率循环测试电路本体；其特征是：还包括若干与待测半导体器件样品适配连接的器件样品切换开关电路以及用于检测所述待测半导体器件样品测试状态的器件样品测试状态检测电路，所述器件样品切换开关电路、器件样品测试状态检测电路与待测半导体器件样品呈一一对应连接，且器件样品切换开关电路、器件样品测试状态检测电路与测试控制电路(4)电连接；

任一器件样品测试状态检测电路检测到所适配连接的待测半导体器件样品处于失效断路状态时，测试控制电路(4)控制与当前处于失效断路状态适配连接的器件样品切换开关电路处于闭合状态，以通过处于闭合状态的器件样品切换开关电路使得所适配连接的待测半导体器件样品在功率循环测试电路本体内处于短路状态。

2.根据权利要求1所述的提高测试效率的半导体器件功率循环测试电路，其特征是：所述器件样品切换开关电路包括继电器的线圈(1)以及用于驱动继电器线圈带电状态的线圈驱动电路，其中，继电器的常开触点与待测半导体器件样品适配连接；

测试控制电路(4)通过线圈驱动电路驱动继电器的线圈(1)处于带电状态后，所述继电器的常开触点闭合，以通过继电器闭合状态的常开触点使得器件样品切换开关电路处于闭合状态。

3.根据权利要求2所述的提高测试效率的半导体器件功率循环测试电路，其特征是：所述线圈驱动电路包括与测试控制电路(4)输出端连接的线圈驱动隔离电路(2)，所述线圈驱动隔离电路(2)的第一隔离连接端与电容C1的一端、电阻R1的一端、三极管Q1的发射极端适配连接，且线圈驱动隔离电路(2)的第一隔离连接端接地，线圈驱动隔离电路(2)的第二隔离连接端与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与电容C1的另一端、电阻R1的另一端以及三极管Q1的基极端连接，三极管Q1的集电极端与二极管D1的阳极端以及继电器的线圈(1)的一端连接，继电器的线圈(1)的另一端以及二极管D1的阴极端与电压D+连接。

4.根据权利要求3所述的提高测试效率的半导体器件功率循环测试电路，其特征是：所述三极管Q1为NPN三极管。

5.根据权利要求1所述的提高测试效率的半导体器件功率循环测试电路，其特征是：所述器件样品测试状态检测电路包括依次连接的偏置电阻连接部、低通滤波部、箝位跟随缓冲部以及差分处理放大部，其中，通过偏置电阻连接部与待测半导体器件样品适配连接，通过差分处理放大部与ADC转换电路以及状态检测隔离电路(3)与测试控制电路(4)适配电连接。

6.根据权利要求5所述的提高测试效率的半导体器件功率循环测试电路，其特征是：所述待测半导体器件样品包括IGBT，MOSFET、二极管、BJT、JFET或HEMT。

7.根据权利要求6所述的提高测试效率的半导体器件功率循环测试电路，其特征是：待测半导体器件样品为IGBT时，偏置电阻连接部包括电阻R3以及电阻R4，其中，电阻R3的一端与IGBT的集电极端的连接，电阻R3的另一端接地，电阻R4的一端与IGBT的发射极端连接，电阻R4的另一端接地；

所述低通滤波部包括电阻R5、电阻R6、电容C2、电容C3以及电容C4，其中，电阻R5的一端与IGBT的集电极端连接，电阻R5的另一端与电容C2的一端、电容C3的一端连接，电容C2的另一端接地，电容C3的另一端与电容C4的一端以及电阻R6的一端连接，电容C4的另一端接地，电阻R6的另一端与IGBT的发射极端连接。