[实用新型]一种简易结构的大电压场效应管驱动电路有效

申请号：	202220379385.7	申请日：	2022-02-24
公开（公告）号：	CN216794844U	公开（公告）日：	2022-06-21
发明（设计）人：	秦勋	申请（专利权）人：	航天科工微系统技术有限公司
主分类号：	H02M1/08	分类号：	H02M1/08
代理公司：	成都熠邦鼎立专利代理有限公司 51263	代理人：	车江华
地址：	210000 江苏省南京市***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种简易结构电压场效应驱动电路
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【权利要求书】：

1.一种简易结构的大电压场效应管驱动电路，包括PMOS管Q1和NPMOS管Q2，所述PMOS管Q1的漏极连接NPMOS管Q2的漏极，其特征在于：PMOS管Q1的栅极连接电阻R1的一端、稳压二级管D1的阴极，稳压二级管D1的阳极连接稳压二级管D2的阴极，稳压二级管D2的阳极连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端接地，PMOS管Q1的源极、电阻R1的另一端连接工作电源，稳压二级管D4的阳极接地，稳压二级管D1并联电容C1，稳压二级管D2并联电容C3,NPMOS管Q2的源极连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端接地；

稳压二级管D1的阳极为控制信号的输入端，PMOS管Q1的漏极为负载的连接端。

2.根据权利要求1所述的简易结构的大电压场效应管驱动电路，其特征在于：所述电阻R4为0.1Ω。

3.根据权利要求1所述的简易结构的大电压场效应管驱动电路，其特征在于：所述控制信号为TTL电平。

4.根据权利要求3所述的简易结构的大电压场效应管驱动电路，其特征在于：所述稳压二级管D1的阳极连接驱动芯片U1的输出，所述驱动芯片U1的输入端连接控制信号源的输出。

5.根据权利要求4所述的简易结构的大电压场效应管驱动电路，其特征在于：所述控制信号源的输出信号为脉冲信号。

6.根据权利要求5所述的简易结构的大电压场效应管驱动电路，其特征在于：所述工作电源为48V,所述驱动芯片U1的供电电源为5V，所述脉冲信号为5V的脉冲信号。

7.根据权利要求6所述的简易结构的大电压场效应管驱动电路，其特征在于：所述驱动芯片为UCC27325,所述稳压二级管D1的阳极连接驱动芯片U1的反向输出端，稳压二级管D1为BZV55，稳压二级管D2为BZT52H, PMOS管Q1为2SJ665，NPMOS管Q2为2SK3820。

8.根据权利要求1所述的简易结构的大电压场效应管驱动电路，其特征在于：所述PMOS管Q1的漏极与地之间连接电容C2。

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