[实用新型]非对称半桥反激式开关电源及其控制芯片

说明书

本实用新型实施例公开了一种非对称半桥反激式开关电源及其控制芯片。本实用新型实施例提供的控制芯片包括第一驱动引脚，用于输出第一驱动信号，第一驱动信号用于驱动非对称半桥反激式开关电源中的第一金属氧化物半导体晶体管(MOS)的导通与关断；第二驱动引脚，用于输出第二驱动信号，第二驱动信号用于驱动非对称半桥反激式开关电源中的第二MOS的导通与关断；零电压检测引脚，用于实现第一MOS和第二MOS的零电压开启；退磁检测引脚，用于接收表征非对称半桥反激式开关电源中的主变压器的退磁情况的退磁检测信号；以及原边电流采样引脚，用于接收表征主变压器的原边绕组上的电流的电流表征信号。

技术领域

本实用新型属于集成电路领域，尤其涉及一种非对称半桥反激式开关电源及其控制芯片。

背景技术

随着电子技术的不断发展，电子产品的体积越来越小，尤其是在电源领域提出了高功率密度、小型化的需求。传统的反激式开关电源，在高频模式下，由于频率升高、开关损耗增大，会导致开关电源中的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)的温升很高，进而导致系统效率变差。

在现有技术中，通过选用具有更低导通电阻(Rdson)的MOSFET或者选用氮化镓场效应晶体管(GanFET)来提升系统效率，然而，这会导致电源成本增加，且不利于产品的升级。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种非对称半桥反激式开关电源及其控制芯片，能够利用控制芯片来输出第一驱动信号以控制作为上管的MOSFET的导通与关断，并输出第二驱动信号以控制作为下管的MOSFET的导通与关断，实现上管和下管的零电压开启，具有效率高、成本低和抗干扰性好的益处。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种用于非对称半桥反激式开关电源的控制芯片，包括：第一驱动引脚，用于输出第一驱动信号，所述第一驱动信号用于驱动所述非对称半桥反激式开关电源中的第一金属氧化物半导体晶体管(MOS)的导通与关断；第二驱动引脚，用于输出第二驱动信号，所述第二驱动信号用于驱动所述非对称半桥反激式开关电源中的第二MOS的导通与关断；零电压检测引脚，用于实现所述第一MOS和所述第二MOS的零电压开启；退磁检测引脚，用于接收表征所述非对称半桥反激式开关电源中的主变压器的退磁情况的退磁检测信号；以及原边电流采样引脚，用于接收表征所述主变压器的原边绕组上的电流的电流表征信号。

第二方面，本实用新型实施例提供了一种非对称半桥反激式开关电源，其特征在于，包括第一金属氧化物半导体晶体管(MOS)、第二MOS、主变压器、以及如第一方面所述的用于非对称半桥反激式开关电源的控制芯片。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对本实用新型实施例中所需要使用的附图作简单的介绍，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本实用新型实施例提供的非对称半桥反激式开关电源的结构示意图；以及

图2示出了本实用新型实施例提供的控制芯片的结构示意图。

具体实施方式

下面将详细描述本实用新型的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本实用新型进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本实用新型，并不被配置为限定本实用新型。对于本领域技术人员来说，本实用新型可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本实用新型的示例来提供对本实用新型更好的理解。