[实用新型]低压分离栅沟槽MOS器件的结构有效
| 申请号： | 202220415894.0 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN216980574U | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 袁秉荣;王海强;陈佳旅;何昌;蒋礼聪 | 申请（专利权）人： | 深圳市美浦森半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区招*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低压 分离 沟槽 mos 器件 结构 | ||
1.一种低压分离栅沟槽MOS器件结构，其特征在于，包括：
衬底；
外延层，位于所述衬底上表面；
沟槽，从所述外延层的表面伸入至内部一定深度，所述沟槽内由下至上依次为底部场氧层、屏蔽栅、隔离介质层以及控制栅，所述隔离介质位于所述屏蔽栅与所述控制栅之间；
所述控制栅的外侧具有栅氧层；
位于所述沟槽的侧壁以及屏蔽栅的外壁之间具有侧壁保护层以及侧壁场氧层，所述侧壁保护层紧接所述屏蔽栅，所述侧壁场氧层紧接所述沟槽；
所述底部场氧层的厚度大于所述侧壁场氧层的厚度。
2.如权利要求1所述的低压分离栅沟槽MOS器件结构，其特征在于，所述沟槽顶部面积大于底部面积，沟槽侧面与底面的夹角为87°至89°。
3.如权利要求1所述的低压分离栅沟槽MOS器件结构，其特征在于，所述底部场氧层通过炉管工艺生长而成。
4.如权利要求1所述的低压分离栅沟槽MOS器件结构，其特征在于，所述底部场氧层包括底部和拐角部，所述底部和拐角部的厚度相等。
5.如权利要求1所述的低压分离栅沟槽MOS器件结构，其特征在于，所述底部场氧层为氧化硅或氧化铊，所述底部场氧层中具有第一厚度层和第二厚度层。
6.如权利要求1所述的低压分离栅沟槽MOS器件结构，其特征在于，所述侧壁保护层为氮化硅，厚度为0.1μm-0.3μm。
7.如权利要求1所述的低压分离栅沟槽MOS器件结构，其特征在于，所述屏蔽栅的高度与所述侧壁保护层的高度相等。
8.如权利要求1所述的低压分离栅沟槽MOS器件结构，其特征在于，所述隔离介质层的厚度为0.2μm至0.4μm。
9.如权利要求1所述的低压分离栅沟槽MOS器件结构，其特征在于，所述控制栅低于所述外延层的上表面1000μm。
10.如权利要求1所述的低压分离栅沟槽MOS器件结构，其特征在于，还包括：
体结注入层，位于所述外延层内部；
源极注入层，位于所述体结注入层内；
层间介质层，位于所述外延层的上表面；
表面金属层，所述表面金属层位于所述层间介质层上表面；
钨塞，从所述体结注入层贯穿至所述层间介质层上表面连接至所述表面金属层。
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