[实用新型]一种内置动态TTL电平跳变沿控制改善EMI的BMC PHY装置有效
申请号: | 202220419901.4 | 申请日: | 2022-02-28 |
公开(公告)号: | CN217335433U | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 黄昊丹;黄飞明;励晔;梁栋;贺洁 | 申请(专利权)人: | 无锡硅动力微电子股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/44 | 分类号: | H02M1/44 |
代理公司: | 江阴市轻舟专利代理事务所(普通合伙) 32380 | 代理人: | 曹键 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 内置 动态 ttl 电平 跳变沿 控制 改善 emi bmc phy 装置 | ||
本实用新型公开了一种内置动态TTL电平跳变沿控制改善EMI的BMC PHY装置,涉及数字IC设计领域,该内置动态TTL电平跳变沿控制改善EMI的BMCPHY装置包括:电流镜供电模块,用于通过电流镜控制8个电流是否供电,且8个电流的电流大小两两相差一倍,以此获得256种供电电流;进而获得256种不同的斜率上升的输出电压;电流镜接地模块,用于通过电流镜控制8个电流是否接地,且8个电流的电流大小两两相差一倍,以此获得256种接地电流;与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型立足于通过改量斜率优化芯片级EMI输出的目的,结合BMC PHY芯片自带的数字通信通路(CC线),通过内置高精度电流镜网络和不同工作模式的抖频算法,极大的优化了芯片EMI性能。
技术领域
本实用新型涉及数字IC设计领域,具体是一种内置动态TTL电平跳变沿控制改善EMI的BMC PHY装置。
背景技术
在高速PCB设计中,总是绕不开的一个重要课题就是EMI(电磁干扰,指电磁波与电子元件作用后而产生的干扰现象)设计。现有的系统级EMI改善措施主要有一下几种:
1.在电路板或者系统的I/O端口上增加滤波和衰减技术来实现EMI控制。
2.通过将电路封闭在一个Faraday盒中来实现EMI屏蔽。
3.通过多层布线和优化锐角,将高速信号走在中间层来改善EMI。
这些措施无疑会增加设计难度和成本,需要改进。而PCB上的EMI能量来源主要为集成电路,而越接近EMI源,实现EMI控制所需的成本就越小。所以在芯片级增加改善EMI的措施是最高效且经济的。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种内置动态TTL电平跳变沿控制改善EMI的BMC PHY装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种内置动态TTL电平跳变沿控制改善EMI的BMC PHY装置,包括:
电流镜供电模块,用于通过电流镜控制8个电流是否供电,且8个电流的电流大小两两相差一倍,以此获得256种供电电流;进而获得256种不同的斜率上升的输出电压;
电流镜接地模块,用于通过电流镜控制8个电流是否接地,且8个电流的电流大小两两相差一倍,以此获得256种接地电流;进而获得256种不同的斜率下降的输出电压;
电流镜供电模块连接放大器U1的供电端,放大器U1的反相端连接放大器U1的输出端、开关SW1,开关SW1的另一端连接电流镜接地模块、放大器U2的同相端,放大器U2的反相端连接放大器U2的输出端。
作为本实用新型再进一步的方案:放大器U1的同相端连接1.2V电压,放大器U1的接地端接地。
作为本实用新型再进一步的方案:放大器U2的电源端连接2.5V电压,放大器U2的接地端接地。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型立足于通过改量斜率优化芯片级EMI输出的目的,结合BMC PHY芯片自带的数字通信通路(CC线),通过内置高精度电流镜网络和不同工作模式的抖频算法,极大的优化了芯片EMI性能。
附图说明
图1为一种内置动态TTL电平跳变沿控制改善EMI的BMC PHY装置的原理图。
图2为基于数字抖频算法来动态改变斜率算法的流程图。
图3为电流镜供电模块电压时间特性图。
具体实施方式
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